[实用新型]一种硅锭长晶用支撑装置有效
申请号: | 201721495628.9 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN207552492U | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 刘耀峰 | 申请(专利权)人: | 无锡荣能半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B28/00 | 分类号: | C30B28/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 高玉滨 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅锭 定向块 支撑装置 隔热条 本实用新型 四边 四周表面 支撑柱 边角 垫板 晶柱 坩埚 保证 生长 覆盖 | ||
本实用新型公开了一种硅锭长晶用支撑装置,包括定向块,在所述定向块下方设置有支撑柱,在所述定向块上方设置有垫板,在所述定向块四周分别设置有隔热条,所述隔热条将所述定向块四周表面进行全部覆盖。本实用新型所公开的硅锭长晶用支撑装置,通过在定向块四周设置隔热条,使坩埚四边热量不容易散失,相对提高了硅锭边缘的温度,更好的保证硅锭长晶温度,保证硅锭晶柱笔直而且均匀往上生长,更有效的使硅锭边角的长晶稳定及定向。
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,特别涉及一种硅锭长晶用支撑装置。
背景技术
如图1所示,其中1为定向块,2为垫板,3为支撑柱,4为硅锭。定向块1设置在垫板2下方,硅锭4放置在垫板2上。在开方过后的子锭检测过程中,我们发现硅锭4的子锭中心区域(C区)和边缘区域(A B区)的有很大区别,硅锭1开方后的侧边横截面观察,C区的子锭四周晶柱笔直而且均匀往上生长,但是AB区的子锭,四周晶柱容易交叉,扩散并横截其他晶柱。同时A区B区的晶柱扩散方向基本都是往坩埚壁处。A区B区的子锭头部少子的不良空格也会偏多。同样位置的的硅片检测过后,发现C区的硅片转换效率还有低效片比率相比较A区B区的要好很多。
因此我们判断子锭的晶柱走向对于硅锭的成品还有转换效率都有很大影响,我们解决的方向就是如何控制AB区的子锭生长方向,使其减少扩散,不去过分挤压甚至横截其他籽晶。
实用新型内容
为解决现有技术中存在的问题,本实用新型提供了一种硅锭长晶用支撑装置。
本实用新型的目的通过以下技术方案来具体实现:
一种硅锭长晶用支撑装置,包括定向块,在所述定向块下方设置有支撑柱,在所述定向块上方设置有垫板,在所述定向块四周分别设置有隔热条,所述隔热条将所述定向块四周表面进行全部覆盖。
进一步地,所述隔热条与所述定向块通过内嵌螺丝进行固定连接。
进一步地,所述隔热条与所述定向块厚度相同,所述隔热条的上表面与所述定向块的上表面处于同一平面。
进一步地,所述隔热条上表面与所述定向块上表面与所述垫板下表面形状大小均相同。
进一步地,所述定向块尺寸为长×宽×高为960mm×960mm×100mm。
进一步地,所述隔热条尺寸为长×宽×高为1050mm×90mm×100mm。
进一步地,所述支撑柱为多根,均匀设置在所述定向块下方。
本实用新型所公开的硅锭长晶用支撑装置,通过在定向块四周设置隔热条,使坩埚四边热量不容易散失,相对提高了硅锭边缘的温度,更好的保证硅锭长晶温度,保证硅锭晶柱笔直而且均匀往上生长,更有效的使硅锭边角的长晶稳定及定向。
附图说明
图1为现有技术中硅锭长晶过程示意图;
图2为本实用新型所公开的硅锭长晶用支撑装置结构示意图;
图3为本实用新型所公开的硅锭长晶用支撑装置中定位块与隔热条俯视结构示意图;
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型具体实施方式进行详细说明。
如图2所示,本实用新型公开了一种硅锭长晶用支撑装置,包括定向块1,在定向块1下方均匀设置有多根支撑柱3,在定向块1上方设置有垫板2,在定向块1四周分别设置有隔热条5,隔热条5将定向块1四周表面进行全部覆盖。其中,定向块为石墨材质,隔热条5为固体碳毡条。
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