[实用新型]一种CIGS背电极Mo‑Na合金层沉积装置有效
| 申请号： | 201721383664.6 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN207250547U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 夏申江;屠友明;车兆华;李险峰;徐根保;蒋洋 | 申请（专利权）人： | 中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 马明渡,徐丹 |
| 地址： | 215434 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cigs 电极 mo na 合金 沉积 装置 | ||
1.一种CIGS背电极Mo-Na合金层沉积装置，其特征在于：包括一真空腔室，该真空腔室的一端作为进口端，另一端作为出口端，真空腔室内从其进口端向出口端设置有传送辊道，且真空腔室内对应于传送辊道的上方设有Mo-Na合金层磁控溅射装置；
所述真空腔室的进口端上隔设有进口隔离单元，真空腔室的进口端经进口隔离单元连接底层Mo导电层磁控溅射室；所述真空腔室的出口端上隔设有出口隔离单元，真空腔室的出口端经出口隔离单元连接上层Mo导电层磁控溅射室；
所述进口隔离单元和出口隔离单元至少包括一用于封断真空腔室的进口端或出口端的隔离板，该隔离板上设有用于传送的狭缝，该狭缝上封盖有门阀。
2.根据权利要求1所述一种CIGS背电极Mo-Na合金层沉积装置，其特征在于：所述进口隔离单元和出口隔离单元结构相同，还包括一隔离腔室，该隔离腔室的两端壁面上设有所述用于传送的狭缝，狭缝上封盖有门阀，即该隔离腔室的两端壁面作为两个所述隔离板。
3.根据权利要求2所述一种CIGS背电极Mo-Na合金层沉积装置，其特征在于：所述门阀为翻板阀，翻板阀设于狭缝的于隔离腔室的内侧处。
4.根据权利要求1所述一种CIGS背电极Mo-Na合金层沉积装置，其特征在于：所述隔离腔室内也设有传送辊道。
5.根据权利要求1所述一种CIGS背电极Mo-Na合金层沉积装置，其特征在于：所述进口隔离单元和出口隔离单元结构相同，还包括一隔离腔室，该隔离腔室的两端壁面上设有狭缝，且在隔离腔室的中间再隔设有一中间隔离板，该中间隔离板上设有狭缝，中间隔离板的狭缝上在其正反两侧各设置一翻板阀，即中间隔离板作为所述隔离板。
6.根据权利要求1所述一种CIGS背电极Mo-Na合金层沉积装置，其特征在于：所述进口隔离单元和出口隔离单元结构相同，就包括一块所述隔离板，该隔离板上设有狭缝，隔离板的狭缝上在其正反两侧各设置一翻板阀。
7.根据权利要求1所述一种CIGS背电极Mo-Na合金层沉积装置，其特征在于：所述门阀为一翻板阀或闸阀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
