[实用新型]一种驱动负载的短路保护电路有效
申请号: | 201721370442.0 | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN207265645U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 马东辉;吴勤兵 | 申请(专利权)人: | 北京车和家信息技术有限公司 |
主分类号: | H02H7/085 | 分类号: | H02H7/085 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人: | 尚志峰,汪海屏 |
地址: | 100102 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 负载 短路 保护 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及保护电路技术领域,具体而言,涉及一种驱动负载的短路保护电路。
背景技术
目前汽车上的电机等感性负载的驱动控制一般都是通过控制MOS管的方式的,对于电机等感性负载来说,容易出现过流电流增大的情况。由于电流增大,MOS管等电路器件温升就会随之增大,从而存在电路损坏的风险,所以对驱动控制电路进行过流短路等保护尤为重要。
相关技术中采用的方案包括:1.通过集成的驱动芯片进行驱动控制,短路及过流保护等功能在驱动芯片内部集成,但是这种方案成本较高;2.通过分立元器件进行驱动控制,通过软件采集输出电流的方式,如果采集到的电流达到软件设定的过流保护的阈值,CPU将驱动控制输出断开,但是这种方案是通过软件实现的,需要一定的软件采集及输出控制的相应时间,在此时间内器件可能已经发生损坏,所以即使采用软件保护也会存在器件损坏的风险。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此,本实用新型的一个方面在于提出了一种驱动负载的短路保护电路。
有鉴于此,根据本实用新型的一个方面,提出了一种驱动负载的短路保护电路,包括:第一MOS管,分别与控制电路、监控反馈电路、负载相连接;控制电路,分别与微处理器和监控反馈电路相连接;当微处理器通过控制电路控制第一MOS管导通后,若第一MOS管产生的压降大于预设值,则监控反馈电路导通,进而使第一MOS管截止,停止驱动负载。
本实用新型的上述驱动负载的短路保护电路,采用自搭的分立元器件硬件关断的控制方案,微处理器通过控制控制电路使第一MOS管导通,驱动负载。而汽车上所有控制器的插接件连接到整车线束上都存在搭接到整车12V电源的风险,即出现短电源的情况,当出现短电源情况时,第一MOS管的漏极电压迅速升高而大于预设值,则通过监控反馈电路将第一MOS管的漏极电压的变化反馈回控制电路,进而使得第一MOS管关断,从而达到对负载的驱动控制进行过流短路等保护的目的。
根据本实用新型的上述驱动负载的短路保护电路,还可以具有以下技术特征:
在上述技术方案中,优选地,还包括:第一电阻,第一电阻的一端连接至第一MOS管的源极,第一电阻的另一端接地。
在上述任一技术方案中,优选地,控制电路包括第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管;第二电阻的一端与微处理器的第一处理器相连接,第二电阻的另一端与第一三极管的基极相连接;第三电阻连接在第一三极管的集电极和第二三极管的基极之间;第二三极管的集电极连接至第一MOS管的栅极;其中,控制电路将第一处理器输出的第一电压转换为第二电压,以利用第二电压驱动所述第一MOS管。
在上述任一技术方案中,优选地,控制电路还包括:第四电阻,第四电阻的一端连接在第一三极管的集电极和第三电阻之间,第四电阻的另一端连接至第一电源;
在上述任一技术方案中,优选地,控制电路还包括:第五电阻,第五电阻的一端连接在第二三极管的集电极和第一MOS管的栅极之间,第五电阻的另一端连接至第一电源。
在上述任一技术方案中,优选地,第一三极管的发射极和第二三极管的发射极均接地。
在上述任一技术方案中,优选地,监控反馈电路包括二极管、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第三三极管、第二MOS管;二极管的阴极、第六电阻、第七电阻、第八电阻依次连接;第一MOS管的漏极连接在第六电阻和第七电阻之间;第三三极管的基极连接在第七电阻和第八电阻之间,第三三极管的集电极连接至第二MOS管的源极;第二MOS管的栅极连接至微处理器的第二处理器,第二MOS管的漏极连接在第二电阻和第一三极管的基极之间;其中,当第一MOS管导通后,若第一MOS管产生的压降大于预设值,则第三三极管、第二MOS管依次导通,进而使第一MOS管截止。
在上述任一技术方案中,优选地,监控反馈电路还包括:第九电阻,第九电阻的一端连接在第三三极管的集电极和第二MOS管的源极之间,第九电阻的另一端连接至第二电源。
在上述任一技术方案中,优选地,监控反馈电路还包括:电容,电容的一端与第三三极管的基极相连接,电容的另一端接地。
在上述任一技术方案中,优选地,二极管的阳极连接至第三电源。
在上述任一技术方案中,优选地,第八电阻的一端和第三三极管的发射极均接地。
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