[实用新型]一种单晶硅燃烧过程气爆除杂装置有效

专利信息
申请号: 201721349990.5 申请日: 2017-10-18
公开(公告)号: CN207944166U 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 路建华;陈钦强 申请(专利权)人: 青海日晶光电有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 张宇
地址: 817099 青海省海西蒙古族*** 国省代码: 青海;63
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摘要:
搜索关键词: 排气管 单晶炉 进气口 单晶硅 本实用新型 第二排气口 第一排气口 除杂装置 燃烧过程 颗粒物 排料管 真空泵 气爆 过滤器 生产效率 直接燃烧 不停炉 氧化物 炉盖 铜管 沉积 过滤 燃烧 污染
【说明书】:

实用新型公开了一种单晶硅燃烧过程气爆除杂装置,包括单晶炉,单晶炉的顶端设有炉盖,单晶炉底端的一侧设有第一排气口,第一排气口与第一排气管的一端固定连接,第一排气管的另一端与第一真空泵的进气口固定连接,单晶炉底端的另一侧设有第二排气口,第二排气口与第二排气管的一端固定连接,第二排气管的另一端与第二真空泵的进气口固定连接,第一排气管的一侧与第一铜管的一端固定连接。本实用新型能够在不停炉的状态下直接燃烧排气管氧化物,清除管道内沉积的杂质,提高生产效率,且能够通过排料管将燃烧后的颗粒物集中排入到一个地方进行处理,并且排料管中部设有的过滤器能够过滤掉颗粒物中的有毒物质,减少对空气的污染。

技术领域

本实用新型涉及太阳能光伏行业技术领域,具体为一种单晶硅燃烧过程气爆除杂装置。

背景技术

在单晶炉运行过程中,炉内温度达到1420℃,炉内会产生大量的一氧化硅粉尘和其它杂质,它们会沉积集结在单晶炉抽气管道壁上,造成成晶困难,能耗增加、降低成品率,通常要在该炉拉完后,采取拆炉清理,清理完挥发物后再开炉,这样既耗能、又费时,因此我们对此做出改进,提出一种单晶硅燃烧过程气爆除杂装置。

实用新型内容

为解决现有技术存在的在单晶炉运行过程中,炉内会产生大量的一氧化硅粉尘和其它杂质的缺陷,本实用新型提供一种单晶硅燃烧过程气爆除杂装置。

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:

本实用新型一种单晶硅燃烧过程气爆除杂装置,包括单晶炉,所述单晶炉的顶端设有炉盖,所述单晶炉底端的一侧设有第一排气口,所述第一排气口与第一排气管的一端固定连接,所述第一排气管的另一端与第一真空泵的进气口固定连接,所述单晶炉底端的另一侧设有第二排气口,所述第二排气口与第二排气管的一端固定连接,所述第二排气管的另一端与第二真空泵的进气口固定连接,所述第一排气管的一侧与第一铜管的一端固定连接,所述第一铜管的另一端与连接管的一端固定连接,所述第二排气管的一侧与第二铜管的一端固定连接,所述第二铜管的另一端与连接管的另一端固定连接,所述连接管的底端与第三铜管的一端固定连接,所述第三铜管的另一端与空气泵的出气口固定连接,所述单晶炉一侧的中部设有控制面板,所述控制面板的表面分别设有第一真空泵开关、第二真空泵开关和空气泵开关,所述第一真空泵通过第一真空泵开关、第二真空泵通过第二真空泵开关和空气泵通过空气泵开关均与电源电性连接。

进一步的,所述连接管为三通管。

进一步的,所述第一真空泵和第二真空泵的出气口分别连接有排料管。

进一步的,所述排料管的一端安装有过滤器。

进一步的,所述第三铜管的中部设有流量计。

与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:该种单晶硅燃烧过程气爆除杂装置,现有单晶炉运行过程中,炉内温度达到1420℃,炉内会产生大量的一氧化硅粉尘和其它杂质,此实用新型能够在不停炉的状态下直接燃烧排气管氧化物,清除管道内沉积的杂质,减少耗能,提高生产效率,且能够通过排料管将燃烧后的颗粒物集中排入到一个地方进行处理,并且排料管中部设有的过滤器能够过滤掉颗粒物中的有毒物质,减少对空气的污染。

附图说明

图1是本实用新型一种单晶硅燃烧过程气爆除杂装置的结构示意图。

图中:1、单晶炉;2、炉盖;3、第一排气口;4、第一排气管;5、第一真空泵;6、第一铜管;7、第二排气口;8、第二排气管;9、第二真空泵;10、第二铜管;11、连接管;12、第三铜管;13、流量计;14、空气泵。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。

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