[实用新型]晶体硅承载结构及晶体硅截断机

说明书

本申请公开一种晶体硅承载结构及晶体硅截断机。该晶体硅承载结构包括：底座；设于所述底座上的承载台，所述承载台包括第一承载台和第二承载台；以及承载台移动机构，配置于所述第一承载台和/或所述第二承载台上，用于驱动所述第一承载台和/或所述第二承载台移动以调整所述第一承载台和所述第二承载台的相对位置。本申请的晶体硅承载结构能够通过第一承载台和第二承载台的相对移动来调整两者间的相对位置，从而能实现对不同长度及具有不同切割位置的多晶硅棒的承载，以利于后续对承载的多晶硅棒进行头尾截断作业。

技术领域

本申请涉及线切割技术领域，特别是涉及一种晶体硅承载结构及晶体硅截断机。

背景技术

线切割技术是目前较先进的加工技术，原理是通过高速运动的切割线对待加工工件进行摩擦，从而达到切割的目的。在对工件的切割过程中，金刚线通过导线轮的引导，在主线辊上形成一张线网，而待加工工件通过工作台的上升下降或者金刚线的上升下降实现工件的进给，在压力泵的作用下，装配在设备上的冷却水自动喷洒装置将冷却水喷洒至金刚线和工件的切削部位，由金刚线往复运动产生切削以进行切割。线切割技术与传统的刀锯片、砂轮片及内圆切割相比具有效率高、产能高、精度高等优点。

在现有线切割技术中，是将待加工工件置于设有与切割位置对应的切割槽的承载台上，由切割单元对承载台上承载的晶体硅进行切割。在实际应用中，以晶体硅截断为例，由于需要对晶体硅进行截断作业以截断其不符合生产工艺要求的头部和尾部，因此根据承载台上切割槽的分布情况，切割单元可以分别切割晶体硅头部和尾部的杂质层，也可以同时切割晶体硅头部和尾部的杂质层。但是当切割单元同时切割晶体硅头部和尾部的杂质层时，由于切割槽的位置使得切割单元只能切割固定的头尾尺寸，使得待加工工件的尺寸受到限制。

发明内容

鉴于以上所述的现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种晶体硅承载结构及晶体硅截断机，用于解决现有技术中由于承载台结构的限制只能承载固定尺寸待加工工件的问题。

为实现上述目的及其他目的，本申请的第一方面提供一种晶体硅承载结构，包括：底座；设于所述底座上的承载台，所述承载台包括第一承载台和第二承载台；以及承载台移动机构，配置于所述第一承载台和/或所述第二承载台上，用于驱动所述第一承载台和/或所述第二承载台移动以调整所述第一承载台和所述第二承载台的相对位置。

在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述第一承载台上设有供与承载的晶体硅的第一切割位置对应的第一切割槽；以及所述第一承载台与所述第二承载台之间的空隙与承载的晶体硅的第二切割位置对应，或者，所述第二承载台上设有供与承载的晶体硅的第二切割位置对应的第二切割槽。

在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述第一承载台与所述第二承载台之间的空隙与承载的晶体硅的第一切割位置对应，或者，所述第一承载台上设有供与承载的晶体硅的第一切割位置对应的第一切割槽；以及所述第二承载台上设有供与承载的晶体硅的第二切割位置对应的第二切割槽。

在本申请的第一方面的某些实施方式中，所述承载台移动机构包括：滑轨，设于所述底座上；滑块，滑设于所述滑轨上；以及驱动源，向所述滑块提供滑动于所述滑轨的驱动力。

本申请的第二方面还提供一种晶体硅截断机，其特征在于，包括：至少一工位平台，所述工位平台上设有供承载待切割晶体硅的晶体硅承载结构；所述晶体硅承载结构包括底座和承载台，所述承载台包括第一承载台和与所述第一承载台相对移动的第二承载台；线切割装置，包括切割支架和设于所述切割支架上且与所述晶体硅承载结构对应的线切割结构；所述线切割结构包括第一线切割单元和与所述第一线切割单元相对移动的第二线切割单元。