[实用新型]用于对集成模块的电流消耗进行管理的设备有效

专利信息
申请号: 201721115685.X 申请日: 2017-09-01
公开(公告)号: CN207251581U 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: A·萨拉菲亚诺斯;T·奥达斯;Y·林格;J·弗特 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00;H03K19/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 王茂华,庞淑敏
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 集成 模块 电流 消耗 进行 管理 设备
【说明书】:

相关申请的交叉参考

本申请要求于2017年1月3日提交的法国申请No.1750027的优先权,该申请通过引用在此并入。

技术领域

实用新型的实现和实施方式涉及一种用于对集成模块的电流消耗进行管理的设备。

背景技术

图1示出了耦合在第一端子B1和第二端子B2之间反相器类型的逻辑电路CL,其中第一端子B1旨在接收电源电压Vdd,第二端子B2旨在接收参考电压,例如此处为地GND。逻辑电路通常包括输入端子E和输出端子S。

输出端子S在此处可以耦合到集成电路CI的另一部件的输入(未示出),例如耦合到另一反相器。归因于例如另一反相器的晶体管的栅极电容,该耦合可能生成寄生电容。

在图1中,该寄生电容已由第一电容器C1代表。

逻辑电路CL通常包括与PMOS晶体管TP1串联耦合在第一端子B1和第二端子B2之间的NMOS晶体管TN1。逻辑电路的输入端子E耦合到两个晶体管的栅极,以及输出端子S耦合到两个晶体管公共的节点,此处是PMOS晶体管TP1的漏极和NMOS晶体管TN1的漏极公共的节点。

因此,当存在于输入端子E上的信号从高状态向低状态转变时,PMOS晶体管TP1导通,而NMOS晶体管TN1截止。电容器C1继而借助于流经PMOS晶体管TP1的电流IC1充电。由于电容器的充电时间非常短,因此该电流可以被比作充电电流峰值Ic1

此外,两个晶体管的同时切换在短时间间隔期间会造成端子B1和B2之间的短路。该时间间隔的长度随着切换速度的降低而增大。因此,每次晶体管切换时,短路电流峰值Ic2会通过两个晶体管TP1和TN1在第一端子B1和第二端子B2之间流动。

在输出端子S递送的信号从低状态向高状态转变期间所生成的电流峰值可以与从高状态向低状态转变期间所生成的电流峰值的值具有不同的值。

在存在于输入端子E上的信号从高状态向低状态转变期间,逻辑电路CL消耗的电流高于其在信号从低状态向高状态转变期间消耗的电流,因为在第一种情况下,消耗的电流是对电容器C1充电的电流Ic1与短路电流之和,而在第二种情况下,消耗的电流仅对应于短路电流Ic2

因此,通过例如使用电磁探测和专用算法对包括一个或多个逻辑门的集成电路的电流消耗进行分析,可以获得关于所执行的操作和关于所操纵的数据和/或关于他们的出现的信息。

因此,建议尽可能多地掩蔽(mask)集成电路的电流消耗。

已经存在用于掩蔽集成电路的电流消耗的解决方案,诸如,例如双轨技术,该技术通过生成与电路的逻辑电路实际消耗的电流互补的电流来平滑集成电路的电流消耗。

故此,这个解决方案是有局限性的,因为它也意味着掩蔽逻辑门的电流消耗,而该消耗是不需要掩蔽的。此外,这种技术的成本昂贵,因为它需要将集成电路中的逻辑门数量加倍。

实用新型内容

本实用新型的实现和实施方式涉及集成电路,且具体地但并非排他性地包括逻辑电路的集成电路,并且尤其涉及在操作中对这种类型电路的电流消耗的管理,例如目的在于掩蔽此电流消耗。

因此,根据一个实施方式,提供了一种技术,用于使用允许掩蔽被集中在逻辑电路上的简单手段,来掩蔽集成到集成电路中的逻辑电路的电流消耗。

根据一个方面,提供了一种用于对逻辑电路的电流消耗进行管理的方法,该逻辑电路提供在第一端子和第二端子之间,并包括至少一个输出端子,其中在由逻辑电路的至少一个输出端子所递送的信号改变状态时,在第一端子和第二端子之间随机地生成或不生成附加电流。

根据另一方面,提供了一种电子设备,其包括至少一个逻辑电路,该逻辑电路包括旨在接收电源电压的第一端子、旨在接收参考电压的第二端子和至少一个输出端子,该输出端子被配置为递送能够处于高状态或处于低状态的信号。

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