[实用新型]去溢料高压射水循环系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种去溢料高压射水循环系统。

背景技术

在半导体封装工艺中，需要采用焊锡进行元件插脚的紧固，而焊锡的用量并不总是恰到好处，为了保证焊接质量，通常会在焊接时以较多的焊锡进行焊接，这样焊接完成后就会形成焊锡溢料，需要采用高压水射的方式去除焊锡溢料，而使用过的废水因含有大量锡渣，不能够重复利用，否则会损坏元件及高压水射的喷嘴，因此其用水成本非常高。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供的去溢料高压射水循环系统,包括用于对半导体封装产品进行射水去除焊锡溢料的高压射水座,与高压射水座连通的高压水泵;还包括依次连通的集水池、沉淀池、供水泵，过滤器；所述集水池设于高压射水座下方，所述过滤器连通于供水泵和高压水泵之间。

优选的，所述沉淀池内设有一隔板，沉淀池被隔板分隔为第一水处理池和第二水处理池；所述第一水处理第一水处理池与集水池连通，所述隔板的高度小于沉淀池的深度；所述供水泵与第二水处理池连通。

进一步的，所述第一水处理池上部设有三层滤网，所述集水池的出水口设于三层滤网上方。

本实用新型通过设置沉淀池对集水池中收集的废水进行沉淀处理，并通过过滤，去除水中的锡渣，再提供给高压射水座使用，实现了水的循环利用，大大降低了水的用量。

附图说明

图1是本实用新型提供的去溢料高压射水循环系统实施例结构示意图。

具体实施方式

为方便本领域的技术人员了解本实用新型的技术内容，下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步的详细说明。

如图1所示去溢料高压射水循环系统,包括高压射水座1、集水池2、沉淀池3、供水泵4、过滤器5、高压水泵M；集水池2设于高压射水座1下方，高压射水座1对半导体封装产品进行高压射水去除其焊锡溢料，射出的水流带着锡渣落入集水池2中。

沉淀池3内设有一隔板30，沉淀池被隔板分隔为第一水处理池31和第二水处理池32，隔板30的高度小于沉淀池3的深度。第一水处理池31上部设有三层滤网33，集水池的出水口20设于三层滤网33上方，可将废水中的锡渣进行初步的滤除，废水经过三层滤网33后流入第一水处理池31中，由于锡渣密度大于水的密度，因此锡渣沉淀在第一水处理池31底部，较为洁净的水则位于第一水处理池31上部，随着水的持续注入，第一水处理池31上部的水从隔板30处溢出流入第二水处理池32中，供水泵4从第二水处理池32中吸取较洁净的水，并通过过滤器5再次过滤后提供给高压水泵M，高压水泵M将水加压后供给高压射水座1，从而实现水的循环利用。

以上为本实用新型的具体实现方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些显而易见的替换形式均属于本实用新型的保护范围。