[实用新型]去溢料高压射水循环系统有效

专利信息
申请号: 201721103031.5 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN207253913U 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 陈四平 申请(专利权)人: 惠州市胜镁半导体电子有限公司
主分类号: B01D36/04 分类号: B01D36/04;C02F9/02
代理公司: 惠州创联专利代理事务所(普通合伙)44382 代理人: 韩淑英
地址: 516100 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 去溢料 高压 水循环 系统
【权利要求书】:

1.去溢料高压射水循环系统,包括用于对半导体封装产品进行射水去除焊锡溢料的高压射水座,与高压射水座连通的高压水泵;其特征在于:还包括依次连通的集水池、沉淀池、供水泵,过滤器;所述集水池设于高压射水座下方,所述过滤器连通于供水泵和高压水泵之间。

2.依据权利要求1所述去溢料高压射水循环系统,其特征在于:所述沉淀池内设有一隔板,沉淀池被隔板分隔为第一水处理池和第二水处理池;所述第一水处理第一水处理池与集水池连通,所述隔板的高度小于沉淀池的深度;所述供水泵与第二水处理池连通。

3.依据权利要求2所述去溢料高压射水循环系统,其特征在于:所述第一水处理池上部设有三层滤网,所述集水池的出水口设于三层滤网上方。

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