[实用新型]一种LVDT位移传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及位移传感器技术，具体地涉及一种LVDT位移传感器。

背景技术

现有的LVDT位移传感器以三段式应用最为广泛，结构组成有线圈骨架、初级线圈、两个次级线圈、第一导杆及导杆。两个次级线圈完全相同，并对称地分布在初级线圈两侧。第一导杆为软磁材料，其一端与外部导杆连接。两个次级线圈差动连接，初级线圈中通以一定频率的电压或电流激励信号之后，产生交变磁场，两个完全相同的次级线圈将处于初级线圈所产生的交变磁场中，从而产生一定的感应电动势。由于两个次级线圈为差接，故LVDT的输出信号为两个次级线圈的感应电动势之差。由此可以看出，第一导杆的结构及其在骨架内的位置将影响整个磁场的分布，初级线圈与两个次级线圈的互感将随第一导杆在骨架内的移动而相应变化。

现有的LVDT位移传感器通过在第一导杆上开螺孔，将第一导杆与第二导杆相连，第一导杆两端并非完全对称结构，并且第二导杆为导磁性材料。导杆的连接方式和材料导致第一导杆两端的磁通量不相同，造成传感器存在较高的零点残余电压，影响了LVDT位移传感器的准确性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种零点残余电压较小、具有较高准确性的LVDT位移传感器。

为了实现上述目的，本实用新型一种LVDT位移传感器的技术方案是：

一种LVDT位移传感器，其特征在于：包括固定部分和活动部分，所述固定部分包括线圈骨架，所述线圈骨架上设置有初级线圈，所述初级线圈两侧对称设置有完全相同的第一次级线圈和第二次级线圈，第一次级线圈和第二次级线圈差动连接；所述活动部分包括导杆，所述导杆包括第一导杆和第二导杆，所述第一导杆插入线圈骨架中，所述第一导杆一端通过第一螺孔与第二导杆固接，另一端设置有与第一螺孔大小、位置相同的第二螺孔，所述第一导杆为导磁导杆，所述第二导杆为非导磁导杆。第一导杆两端设置有大小相同的螺孔，第二导杆采用非导磁性材料，保证了第一导杆两端磁通量相同，使得传感器的零点残余电压较低，保证了传感器的准确性。

进一步地，所述线圈骨架固接有套置在第二导杆外侧的复位弹簧挡圈，第二导杆的端部设置有凸台，凸台与复位弹簧挡圈之间设置有复位弹簧。复位弹簧和复位弹簧挡圈能够使第二导杆和第一导杆自动复位，并且可以根据弹簧的位移来测量压力大小。

进一步地，所述固定部分还包括耐压接体，所述耐压接体一端设置有高压密封圈，另一端与线圈骨架固定连接，所述第二导杆插入耐压接体中且在耐压接体内移动。耐压接体一端设置有高压密封圈，并且第二导杆在耐压接体内移动，使得此LVDT传感器可以在高压环境中使用。

进一步地，所述第二导杆为321不锈钢导杆。321不锈钢为奥氏体不锈钢，具有非导磁性，并且可以具有耐磨蚀性、耐高温、抗蠕变性等特性，扩大了LVDT传感器的适用环境。

进一步地，所述第一导杆为1J50铁镍合金导杆。1J50铁镍合金为高性能导磁材料，有利于准确检测电动势差。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

本实用新型通过在第一导杆两端都设置有两个大小相同的螺孔并且第二导杆采用非导磁性材料，保证了第一导杆两端的磁通量相等，存在较低零点残余电压，具有较高准确性。

附图说明

图1是本实用新型一种LVDT位移传感器的结构示意图。

图2是本实用新型一种LVDT位移传感器的原理图。

图3是本实用新型一种LVDT位移传感器的具体实施例2的结构示意图。

图4是本实用新型一种LVDT位移传感器的具体实施例3的结构示意图。

图中所示：1、线圈骨架；2、第一次级线圈；3、初级线圈；4、第二次级线圈；5、第一导杆；6、第二导杆；7、复位弹簧；8、复位弹簧挡圈；9、第二螺孔；10、凸台；11、耐压接体；12、高压密封圈；13、第一螺孔。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施方式仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

具体实施例1:

如图1和图2所示，一种LVDT位移传感器包括线圈骨架1，线圈骨架1上设置有初级线圈3。初级线圈3两侧对称设置有完全相同的差动连接的第一次级线圈2和第二次级线圈4。第一导杆5插入线圈骨架1中，第一导杆5一端通过第一螺孔13与第二导杆6固定连接，另一端设置有一个与第一螺孔13大小、位置都相同的第二螺孔9。