[实用新型]一种LVDT位移传感器有效

专利信息
申请号: 201721033374.9 申请日: 2017-08-17
公开(公告)号: CN207066462U 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 谭振达 申请(专利权)人: 谭振达
主分类号: G01D5/22 分类号: G01D5/22
代理公司: 扬州润中专利代理事务所(普通合伙)32315 代理人: 谢东
地址: 611731 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 lvdt 位移 传感器
【权利要求书】:

1.一种LVDT位移传感器,其特征在于:包括固定部分和活动部分,所述固定部分包括线圈骨架,所述线圈骨架上设置有初级线圈,所述初级线圈两侧对称设置有完全相同的第一次级线圈和第二次级线圈,第一次级线圈和第二次级线圈差动连接;所述活动部分包括导杆,所述导杆包括第一导杆和第二导杆,所述第一导杆插入线圈骨架中,所述第一导杆一端通过第一螺孔与第二导杆固接,另一端设置有与第一螺孔大小、位置相同的第二螺孔,所述第一导杆为导磁导杆,所述第二导杆为非导磁导杆。

2.根据权利要求1所述的一种LVDT位移传感器,其特征在于:所述线圈骨架固接有套置在第二导杆外侧的复位弹簧挡圈,第二导杆的端部设置有凸台,凸台与复位弹簧挡圈之间设置有复位弹簧。

3.根据权利要求1所述的一种LVDT位移传感器,其特征在于:所述固定部分还包括耐压接体,所述耐压接体一端设置有高压密封圈,另一端与线圈骨架固定连接,所述第二导杆插入耐压接体中且在耐压接体内移动。

4.根据权利要求1所述的一种LVDT位移传感器,其特征在于:所述第二导杆为321不锈钢导杆。

5.根据权利要求1所述的一种LVDT位移传感器,其特征在于:所述第一导杆为1J50铁镍合金导杆。

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