[实用新型]一种多波长高功率半导体激光器有效
申请号: | 201721023286.0 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN207074784U | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 李军;席道明;陈云;吕艳钊;魏皓 | 申请(专利权)人: | 江苏天元激光科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/40 | 分类号: | H01S5/40;H01S5/024 |
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地址: | 212300 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波长 功率 半导体激光器 | ||
1.一种多波长高功率半导体激光器,其特征在于,包括:
具有第一激光芯片的第一激光系统;
具有与所述第一激光芯片不同输出波长的第二激光芯片的第二激光系统;
将所述第一激光系统与所述第二激光系统输出的光束进行叠加耦合,实现尾纤输出的激光合束系统;以及
面向所述激光合束系统的光纤;
其中,所述第一激光系统与所述第二激光系统包括分别面向所述第一激光芯片与所述第二激光芯片的柱透镜、非球面镜及反射镜;
所述激光合束系统包括接收所述第一激光系统的第一输出光的全反射镜、面向所述全反射镜且接收所述第二激光系统的第二输出光的波长合束器、及非球面聚焦透镜,其中所述波长合束器将第一输出光与所述第二输出光进行叠加耦合输出,非球面聚焦透镜将叠加后的光聚焦到所述光纤端面,实现尾纤输出。
2.根据权利要求1所述的多波长高功率半导体激光器,其特征在于,其中所述第一激光芯片与所述第二激光芯片焊接于阶梯热沉,所述阶梯热沉成阶梯状。
3.根据权利要求2所述的多波长高功率半导体激光器,其特征在于,其中所述第一激光芯片与所述第二激光芯片设置为多个,且分别排列于所述阶梯热沉。
4.根据权利要求1所述的多波长高功率半导体激光器,其特征在于,其中所述第一激光系统与所述第二激光系统的所述柱透镜、所述非球面镜镀有与所述第一激光芯片及所述第二激光芯片出射波长匹配的高透过率膜层。
5.根据权利要求3所述的多波长高功率半导体激光器,其特征在于,其中所述第一激光系统与所述第二激光系统的所述反射镜镀有与所述第一激光芯片及所述第二激光芯片出射波长匹配的全反射膜层,且所述反射镜在所述阶梯热沉上成预定高度差排列,所述任一反射镜不遮挡其他所述反射镜反射光束的传播。
6.根据权利要求1所述的多波长高功率半导体激光器,其特征在于,其中所述波长合束器由体布拉格光栅结构构成;两束波长不同的激光光斑重叠并呈布拉格共轭角入射到布拉格光栅上,实现两束光的叠加输出。
7.根据权利要求1所述的多波长高功率半导体激光器,其特征在于,其中所述非球面聚焦透镜对合束后的激光聚焦,且表面镀有所述第一激光芯片与所述第二激光芯片出射波长匹配的高透过滤膜层。
8.根据权利要求1所述的多波长高功率半导体激光器,其特征在于,其中所述光纤为多模光纤,且在所述光纤端面镀有所述第一激光芯片及所述第二激光芯片两种波长的高透过率膜层及相应激射波长的全反膜层。
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