[实用新型]一种晶体硅太阳能电池正面电极结构

说明书

本实用新型属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池正面电极结构，包括图形边框、若干条相互平行的主栅以及与主栅垂直的细栅，主栅与细栅之间还设置有至少1级细栅线，各级细栅线之间连接有细栅连接线，细栅线与细栅之间连接有细栅连接线，细栅连接线与主栅平行。通过该结构能够解决现有技术中存在的细栅线电学损失偏大的问题。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池正面电极结构。

背景技术

目前常规晶体硅太阳能电池片(尺寸以156.75mm×156.75mm为例)的正面电极如图1所示，一般包括主栅(Busbar)和细栅(Finger)两部分，主栅和细栅相互垂直；主栅与主栅之间相互平行，细栅与细栅之间相互平行。细栅负责收集电流，主栅负责将各细栅的电流予以汇集，并借由汇流条导出。在设计正面电极时，一般要考虑两个方面的因素：电学损失和光学损失。电学损失是指电流在细栅和主栅上传导时产生的功率损耗；光学损失是指细栅和主栅在电池片表面受光面产生遮挡导致入射到电极表面上的光线无法被充分利用导致的功率损失。根据载流子的输运模型，越靠近主栅，细栅上的电流越大。

目前的传统正面电极设计方案导致细栅上的电学损失偏大。晶体硅太阳能电池占据太阳能电池市场的80％以上，市场对晶体硅太阳能电池的转换效率提出的要求也越来越高，我们希望通过优化细栅结构和布局，采用不同区域细栅数量差异化设计，在减小细栅造成的电学损失的同时，提高光线利用率，以实现转换效率的提高。

实用新型内容

为解决现有技术中存在的问题，本实用新型的目的是提供一种晶体硅太阳能电池正面电极结构，通过该结构来解决现有技术中存在的细栅线电学损失偏大的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种晶体硅太阳能电池正面电极结构，包括图形边框、若干条相互平行的主栅以及与主栅垂直的细栅，主栅与细栅之间还设置有至少1级细栅线，各级细栅线之间连接有细栅连接线，细栅线与细栅之间连接有细栅连接线，细栅连接线与主栅平行。

细栅之间连接有防断栅。

各级细栅线的宽度与细栅的宽度相同，从主栅向与其相邻的细栅的方向，各级细栅线中细栅线的间距依次减小。

所述主栅与细栅之间设置有一级细栅线，一级细栅线的一端与主栅连接，另一端通过一级细栅连接线与细栅连接，一级细栅连接线与主栅平行。

一级细栅线与细栅的宽度相同，一级细栅线中各细栅线之间的间距小于各细栅之间的间距。

所述主栅与细栅之间设置有一级细栅线和二级细栅线，一级细栅线的一端与主栅连接，另一端通过一级细栅连接线与二级细栅线连接，二级细栅线通过二级细栅连接线与细栅连接，一级细栅连接线、二级细栅连接线和主栅相互平行。

一级细栅线、二级细栅线与细栅的宽度相同，一级细栅线中各细栅线之间的间距小于二级细栅线中各细栅线之间的间距，二级细栅线中各细栅线之间的间距小于各细栅之间的间距。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

本实用新型的晶体硅太阳能电池正面电极结构通过在主栅与细栅之间还设置有至少1级细栅线，各级细栅线之间连接有细栅连接线，细栅线与细栅之间连接有细栅连接线，细栅连接线与主栅平行，因此能够减小电流在细栅和主栅上传导时产生的功率损耗，减小电学损失。

进一步的，通过设置防断栅能够防止印刷过程中细栅线断开造成电流收集困难，从而导致断栅位置EL发黑。

附图说明

图1：目前单晶硅太阳电池五主栅设计正面电极结构示意图；

图2：本实用新型拥有1级细栅连接线五主栅设计正面电极结构示意图；