[实用新型]一种基于电能储能的芯片物理销毁装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种基于电能储能的芯片物理销毁装置，使用外部能量破坏芯片的物理结构，特别是通过储能方式蓄积电能，当蓄积的能量足够时瞬间释放能量到被销毁芯片，破坏芯片的物理结构，达到销毁芯片功能效果。

背景技术

在金融和国防等特殊领域数据安全非常重要，在某些特定情况下可以通过物理销毁电子存储载体上的数据存储芯片和控制芯片的方法使存储在上面的数据彻底不可读取来避免关键数据泄露。目前，现有的物理销毁方式是从销毁装置直接从存储设备(如固态电子硬盘，U盘等)的工作电源取电，将高电压大电流的销毁电能量直接持续的加载到被销毁芯片上，直至被销毁芯片由于耐受不住高电压大电流的持续的电能输入而引起连线和管芯烧蚀，产生冒烟现象才停止。这样的方法需要功率较大的直流电压升压装置以及来自于存储设备(如固态电子硬盘，U盘等)工作电源的大功率电源供应。存在体积大，成本高，销毁效果受到存储设备的工作电源功率限制等缺点。

实用新型内容

本实用新型涉及一种基于电能储能的芯片物理销毁装置，针对现有方法装置体积大，成本高，销毁效果受到存储设备的工作电源功率限制等缺点，解决了目前通过物理销毁电子存储载体上的数据存储芯片和控制芯片的问题，其技术方案如下所述：

一种基于电能储能的芯片物理销毁装置，包括电荷泵、储能电容、隔离开关、工作电压，所述电荷泵的输入端和工作电压相连接，输出端和储能电容的正极板相连接，所述储能电容的正极板与隔离开关相连接，负极板接地，所述隔离开关的另一端与被销毁芯片相连接。

工作电压为5V直流。

在销毁电压要求大于36V时，电荷泵至少需要8倍的升压过程，从而完成电压升压输出。

储能电容的容量不小于47uF，耐压值不小于55V。

隔离开关能够选用继电器、MS管、三级管。

储能电容和被销毁芯片的电源引脚导通。

隔离开关闭合时，是在芯片正常工作时进行。

本实用新型可以将销毁时需要的电能预先储存在储能电容里，在芯片不需要被物理销毁时这部分储存的电能不使用，当需要物理销毁时，将储能电容和被销毁芯片的管脚在电气上联通，实现储能电容瞬间向被销毁芯片提供足够高的电压和瞬态电流，满足机器放电模式下破坏芯片工作的要求，达到破坏芯片物理结构，实现芯片物理销毁的目的。

附图说明

图1是所述基于电能储能的芯片物理销毁装置的系统框图；

图2是所述电荷泵的机构示意图。

具体实施方式

本实用新型采取的技术方案是根据芯片容易受到静电损伤的特点，分析芯片静电损伤防护电路的工作原理，参考芯片静电放电损伤的机器放电模型的工作原理，同时结合电能储能方法设计出了物理销毁的方法和装置。

带电体对芯片释放静电的方式可以简化成人体模型和机器模型等方式描述。人体放电模型是仿真人体因走动或其它因素而在人体上累积静电后，再去碰触到IC，人体上的静电便会经由碰触的脚位而进入IC内，若IC有一端接地而形成放电路径时，便会经由接地脚位放电。此放电的过程会在短短数百毫微秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流，进而将IC内的电路烧毁。机器放电模型则是70年代由日本人根据HBM的最严重状况所发展出来。机器放电模式是仿真设备机器(例如机械手臂、测试夹具、手工具等)本身累积了静电，当此机器碰触IC时，静电便对该IC放电。

虽然MM与HBM的放电行为模式相类似，但当MM发生时皆为金属对金属的接触，因此接触电阻微乎其微，而且一般机器设备的电容皆远大于人体，因此可以储存更多的静电荷，所以不但造成放电的速度很快，放电电流也较HBM大了数倍，在几十毫微秒之内会有数安培的瞬间放电电流产生，因此机器放电模型对IC造成的破坏更大。而且由于电感效应的影响，MM放电时将以正负电流振荡的型式影响产品，因此造成的破坏将更加严重。