[实用新型]一种应变补偿型半导体激光器结构

权利要求书

1.一种应变补偿型半导体激光器结构，包括衬底层（1）以及在所述衬底层（1）由下至上依次生长的缓冲层（2）、下限制层（3）、下波导层（4）、有源层（5）、上波导层（6）、上限制层（7）和欧姆接触层（8），其特征在于：所述有源层（5）为应变补偿量子阱材料。

2.根据权利要求1所述的应变补偿型半导体激光器结构，其特征在于：所述应变补偿量子阱材料包括压应变阱材料（52）和张应变垒材料（51），所述压应变阱材料和张应变垒材料交替排列构成所述有源层（5）。

3.根据权利要求2所述的应变补偿型半导体激光器结构，其特征在于：所述压应变阱材料为InGaAs材料，张应变垒材料为GaAsP材料或AlGaAsP材料。

4.根据权利要求3所述的应变补偿型半导体激光器结构，其特征在于：所述InGaAs材料的厚度为3~12nm，所述GaAsP材料或AlGaAsP材料的厚度为5~15nm。

5.根据权利要求1~4任意一项所述的应变补偿型半导体激光器结构，其特征在于：所述的衬底层（1）为GaAs材料。

6.根据权利要求1~4任意一项所述的应变补偿型半导体激光器结构，其特征在于：所述上限制层（7）与所述下限制层（3）为AlGaAs材料。

7.根据权利要求1~4任意一项所述的应变补偿型半导体激光器结构，其特征在于：所述上波导层（6）与所述下波导层（4）为AlGaAs材料。

8.根据权利要求1~4任意一项所述的应变补偿型半导体激光器结构，其特征在于：所述缓冲层（2）为GaAs材料，所述缓冲层（2）厚度为0.02~2μm。

9.根据权利要求6所述的应变补偿型半导体激光器结构，其特征在于：所述下限制层（3）的厚度为0.5~2.5μm。

10.根据权利要求7所述的应变补偿型半导体激光器结构，其特征在于：所述上波导层（6）的厚度为0.1~0.8μm，所述下波导层（4）的厚度为0.1~0.8μm。