[实用新型]一种G.fast薄线圈结构

说明书

本实用新型公开一种G.fast薄线圈结构，包括第一级两个差模电感，两个差模电感叠合在一起，各电感均包括线圈和磁芯，所述磁芯上设有线圈容置腔和中柱，所述线圈位于线圈容置腔中，中柱穿过线圈的中心，该线圈的宽度W1小于磁芯可绕线宽度W2，使两个差模电感叠合后彼此之间的线圈分离，从而使第一级两个差模电感的寄生分布电容和线间电容降到最小，进而使G.fast低通滤波器或分离器在高频段212MHz甚至更高频率，从Line端到DSL端的插入损耗降到最小，从Line端到Phone端的隔离信号能力提升到最大。

技术领域

本实用新型涉及G.fast低通滤波器或分离器领域技术，尤其是指一种G.fast薄线圈结构。

背景技术

宽带接入是超清网络视频、大数据等高带宽互联网业务的发展基础。在有线接入方面，可实现千兆接入的FTTH（光纤到户）是主流的宽带接入技术。但是在成熟的社区，这种技术的推进在最后几百米往往遇阻。因为这些地方的家庭原来普遍都是采用DSL 技术接入，使用的是电话线上网。如果要采用FTTH，势必要进行光纤改造。对于装修布线已经到位的家庭来说，光纤入户和布线是件很麻烦的事情。另一方面，对于运营商来说，光纤到户也会让已经进行了大量投资的铜线资源白白浪费掉，不利于投资保护。

G.fast 技术的出现解决了上述问题。这项由国际电信联盟（ITU）推出的DSL（数字用户线路）标准可以让短距电话线（30 到400 米）实现高达1Gbps 的速率。不仅如此，G.fast 技术在部署成本上也要比FTTH低很多。

传统DSL、G.fast滤波器或分离器第一级差模电感的空心线圈是双线并绕，或内外层分开绕，这些线圈的绕线宽度都是根据磁芯的可绕线宽度进行最大可能的利用。这些方式会增加线圈的分布电容和线间电容，从而降低了高频信号的传输特性。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种G.fast薄线圈结构，使G.fast滤波器或分离器从Line端到Phone端的隔离信号能力提升到最大。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种G.fast薄线圈结构，包括第一级两个差模电感，两个差模电感叠合在一起，各电感均包括线圈和磁芯，所述磁芯上设有线圈容置腔和中柱，所述线圈位于线圈容置腔中，中柱穿过线圈的中心，该线圈的宽度W1小于磁芯可绕线宽度W2的三分之二。

作为一种优选方案，两个差模电感为面对面叠合，叠合后一个电感的中柱正对另一个电感的中柱。

作为一种优选方案，两个差模电感为面对背叠合，叠合后一个电感的线圈容置腔对应于另一电感的磁芯平面，另一电感的线圈容置腔外加盖平片磁芯。

作为一种优选方案，所述磁芯具有上端开口和下端开口，形成E型结构，线圈的两端分别伸出上端开口和下端开口外。

作为一种优选方案，所述线圈的内侧面贴于线圈容置腔的内侧面。

作为一种优选方案，所述线圈的外径接近线圈容置腔的内径。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，由于第一级两个差模电感制作时，其线圈的宽度W1小于磁芯可绕线宽度W2，当最大限度地将线圈做到最小宽度时，能使第一级两个差模电感叠合后，彼此之间的线圈尽可能分离，从而使第一级两个差模电感的寄生分布电容和线间电容降到最小，进而使G.fast低通滤波器或分离器在高频段212MHz甚至更高频率，从Line端到DSL端的插入损耗降到最小，从Line端到Phone端的隔离信号能力提升到最大。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。

附图说明

图1是本实用新型之第一实施例的应用产品示意图。