[实用新型]一种G.fast薄线圈结构有效
| 申请号： | 201720912035.1 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN207425509U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 林棋清;王勇;许玲英 | 申请（专利权）人： | 绵阳普思电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F17/00 | 分类号： | H01F17/00;H01F27/24;H01F27/30;H01F27/28 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 徐勋夫 |
| 地址： | 610000 四川省绵阳市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 差模电感 磁芯 线圈结构 第一级 容置腔 叠合 分离器 电感 本实用新型 低通滤波器 插入损耗 分布电容 隔离信号 线间电容 高频段 高频率 寄生 绕线 穿过 | ||
1.一种G.fast薄线圈结构，其特征在于：包括第一级两个差模电感（100），两个差模电感叠合在一起，各电感均包括线圈（10）和磁芯（20），所述磁芯上设有线圈容置腔（21）和中柱（22），所述线圈位于线圈容置腔中，中柱穿过线圈的中心，该线圈的宽度W1小于磁芯可绕线宽度W2，使两个差模电感叠合后彼此之间的线圈分离。
2.根据权利要求1所述的一种G.fast薄线圈结构，其特征在于：所述线圈（10）的宽度W1小于磁芯（20）可绕线宽度W2的三分之二。
3.根据权利要求1所述的一种G.fast薄线圈结构，其特征在于：所述线圈（10）的外径接近线圈容置腔（21）的内径。
4.根据权利要求1所述的一种G.fast薄线圈结构，其特征在于：所述线圈的内侧面（11）贴于线圈容置腔的内侧面（23）。
5.根据权利要求1所述的一种G.fast薄线圈结构，其特征在于：两个差模电感为面对面叠合，叠合后一个电感的中柱正对另一个电感的中柱。
6.根据权利要求1所述的一种G.fast薄线圈结构，其特征在于：两个差模电感为面对背叠合，叠合后一个电感的线圈容置腔对应于另一电感的磁芯平面，另一电感的线圈容置腔外加盖平片磁芯(30)。
7.根据权利要求1所述的一种G.fast薄线圈结构，其特征在于：所述磁芯(20)具有上端开口(24)和下端开口(25)，形成E型结构，线圈的两端分别伸出上端开口和下端开口外。
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