[实用新型]一种增强空穴注入的异质结构LED器件

权利要求书

1.一种增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：包括衬底（1）及衬底（1）上的外延结构，所述外延结构包括沿外延生长方向依次设置的缓冲层（2）、非故意掺杂层（3）、n型电子漂移层（4）、多量子阱发光有源区（5）、p型电子阻挡层（6）、p型空穴漂移层（7）和p型接触层（8），所述n型电子漂移层（4）上设置有n型欧姆接触电极（9），所述p型接触层（8）上设置有p型欧姆接触电极（10），所述p型电子阻挡层（6）由沿外延生长方向依次设置的p-Al_xGa_1-xN层（61）、p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层（62）及p-Al_zGa_1-zN层（63）构成，其中所述p-Al_xGa_1-xN层（61）用于阻挡电子，所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层（62）用于调整价带和电场强度，使价带更接近空穴的准费米能级而提高空穴浓度，并使空穴在更大的电场下加速获得更高速率，所述p-Al_zGa_1-zN层（63）用于辅助增强阻挡电子。

2.根据权利要求1所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：所述p-Al_xGa_1-xN层（61）的Al组分x为0.07≤x≤1。

3.根据权利要求1所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：所述p-Al_xGa_1-xN层（61）的厚度为1～5nm。

4.根据权利要求1所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层（62）的In组分y1、y2、y3分别为0.04≤y1≤0.2，0.04≤y2≤0.2，0.04≤y3≤0.2，且y2≤y1≤y3。

5.根据权利要求1所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：所述p-In_y1Ga_1-y1N/p-In_y2Ga_1-y2N/p-In_y3Ga_1-y3N复合层（62）中每一层的厚度均为1～5nm。

6.根据权利要求1所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：所述p-Al_zGa_1-zN层（63）的Al组分z为0.07≤z≤1。

7.根据权利要求1所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：所述p-Al_zGa_1-zN层（63）的厚度为1～5nm。

8.根据权利要求1所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：所述衬底（1）为生长衬底，所述缓冲层（2）、非故意掺杂层（3）、n型电子漂移层（4）、多量子阱发光有源区（5）、p型电子阻挡层（6）、p型空穴漂移层（7）和p型接触层（8）由生长衬底从下往上依次外延生长而成。

9.根据权利要求1所述的增强空穴注入的异质结构LED器件，其特征在于：所述衬底（1）为导热基底，所述导热基底通过键合层（11）键合在n型欧姆接触电极（9）和p型欧姆接触电极（10）上而实现与外延结构的连接。