[实用新型]一种极化电场调控二维半导体能带结构

权利要求书

1.一种极化电场调控二维半导体能带结构，其特征在于，

所述的二维半导体能带结构是将极化材料与二维半导体直接接触，由极化材料极化后所产生的极化电场来调控二维半导体的能带结构；

所需的器件结构自下而上依次为：绝缘衬底(1)、二维半导体(2)、金属引出复合电极(3)、极化材料(4)、金属上电极(5)；其中：

所述的绝缘衬底(1)为二氧化硅或石英或蓝宝石；

所述的二维半导体(2)材料，厚度为2层至5层分子层；

所述的金属引出复合电极(3)为铬和金(Cr/Au)或钛和金(Ti/Au)或钯和金(Pd/Au)的复合电极，下层金属铬或钛或钯厚度为厚度5-10纳米，上层金属金厚度为30-50纳米，且该金属引出复合电极与所述的二维半导体(2)具有良好的欧姆接触；

所述的极化材料(4)为聚偏氟乙烯基铁电聚合物，厚度为50-300纳米；所述的金属上电极(5)为金属铝，厚度为8-10纳米。