[实用新型]一种减少功耗的太阳能电池片有效
申请号: | 201720830025.3 | 申请日: | 2017-07-10 |
公开(公告)号: | CN206931608U | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 赵华飞 | 申请(专利权)人: | 浙江中晶新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司11340 | 代理人: | 韩洪 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市海盐县西塘*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 功耗 太阳能电池 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及太阳能电池片的技术领域,特别是一种减少功耗的太阳能电池片的技术领域。
【背景技术】
太阳能电池片是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片,光线照射到其上,瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。太阳能电池片主要是由硅片、印刷在硅片受光面上的细栅线与粗栅线构成,细栅线起着收集电流的作用,而粗栅线主要是用来汇集细栅线收集的电流。目前,多条细栅线平行印刷在硅片上,若其中一条细栅线出现断点,该区域将失效,大大的损失了电流量,影响太阳能电池片的性能,因此提出一种减少功耗的太阳能电池片。
【实用新型内容】
本实用新型的目的就是解决现有技术中的问题,提出一种减少功耗的太阳能电池片,采用辅助副栅,当细栅线出现断点时,可缩小失效区域、减小电流量损失,多个主栅、副栅配合的结构,能够有效地提高太阳能电池片的光利用和电子收集率,间隙两侧的形成独立发电单元的太阳能电池片的电极结构,能够单独发电单元使用,或者并联后合并使用,提高太阳能电池片性能。
为实现上述目的,本实用新型提出了一种减少功耗的太阳能电池片,包括晶体硅片、正面栅线、背面电极,其特征在于:所述背电极分布于晶体硅片的背面,所述正面栅线分布于晶体硅片的正面,所述正面栅线包括一级主栅、二级主栅、三级主栅、一级副栅、一级辅助副栅、二级副栅和二级辅助副栅,所述一级主栅的数目为两根,所述一级主栅之间设有间隙,所述一级主栅、二级主栅、三级主栅对称分布在间隙的两侧,所述一级主栅、二级主栅通过三级主栅相连,所述三级主栅与一级主栅组成封闭区域外侧均匀铺设有一级副栅,所述一级副栅与一级主栅相垂直,所述二级主栅的两侧对称设有一级辅助副栅,所述一级副栅与二级主栅相交的每条细栅线与一级辅助副栅至少有两个交点,所述三级主栅与一级主栅组成封闭区域内侧均匀铺设有二级副栅,所述三级主栅内设有二级辅助副栅,所述二级辅助副栅与二级副栅的每条细栅线至少有一个交点,所述辅助副栅与一级主栅相平行。
作为优选,所述一级辅助副栅的形状为菱形,所述一级辅助副栅的端部至少与一级主栅、二级主栅、三级主栅中的两个相交。
作为优选,所述二级辅助副栅的形状为菱形,所述二级辅助副栅的端部分别与一级主栅或三级主栅相交。
作为优选,所述三级主栅的形状为矩形,所述三级主栅与一级主栅、二级主栅均有两个交点,所述三级主栅与二级主栅的交点之间的距离等于一级主栅长度的五分之一。
作为优选,所述一级主栅、二级主栅的宽度相同,所述三级主栅的宽度小于一级主栅的宽度。
本实用新型的有益效果:本实用新型采用辅助副栅,当细栅线出现断点时,可缩小失效区域、减小电流量损失,多个主栅、副栅配合的结构,能够有效地提高太阳能电池片的光利用和电子收集率,间隙两侧的形成独立发电单元的太阳能电池片的电极结构,能够单独发电单元使用,或者并联后合并使用,提高太阳能电池片性能。
【附图说明】
图1是本实用新型一种减少功耗的太阳能电池片的正面栅线的结构示意图。
【具体实施方式】
参阅图1,本实用新型一种减少功耗的太阳能电池片,包括晶体硅片、正面栅线、背面电极,其特征在于:所述背电极分布于晶体硅片的背面,所述正面栅线分布于晶体硅片的正面,所述正面栅线包括一级主栅1、二级主栅2、三级主栅3、一级副栅4、一级辅助副栅5、二级副栅6和二级辅助副栅7,所述一级主栅1的数目为两根,所述一级主栅1之间设有间隙11,所述一级主栅1、二级主栅2、三级主栅3对称分布在间隙11的两侧,所述一级主栅1、二级主栅2通过三级主栅3相连,所述三级主栅3与一级主栅1组成封闭区域外侧均匀铺设有一级副栅4,所述一级副栅4与一级主栅1相垂直,所述二级主栅2的两侧对称设有一级辅助副栅5,所述一级副栅4与二级主栅2相交的每条细栅线与一级辅助副栅5至少有两个交点,所述三级主栅3与一级主栅1组成封闭区域内侧均匀铺设有二级副栅6,所述三级主栅3内设有二级辅助副栅7,所述二级辅助副栅7与二级副栅6的每条细栅线至少有一个交点,所述辅助副栅5与一级主栅1相平行。所述一级辅助副栅5的形状为菱形,所述一级辅助副栅5的端部至少与一级主栅1、二级主栅2、三级主栅3中的两个相交。所述二级辅助副栅7的形状为菱形,所述二级辅助副栅7的端部分别与一级主栅1或三级主栅3相交。所述三级主栅3的形状为矩形,所述三级主栅3与一级主栅1、二级主栅2均有两个交点,所述三级主栅3与二级主栅2的交点之间的距离等于一级主栅1长度的五分之一。所述一级主栅1、二级主栅2的宽度相同,所述三级主栅3的宽度小于一级主栅1的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的