[实用新型]一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路

说明书

本实用新型公开了一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路，其包括有耦合电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，耦合电容的前端作为电平转换电路的输入端，耦合电容的后端连接于第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极，第一PMOS管的源极用于接入高电平信号，第一PMOS管的漏极连接于第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极接地，第二PMOS管的源极和第二NMOS管的源极均连接于耦合电容的后端，第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极均连接于第一NMOS管的漏极，第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极相互连接后作为电平转换电路的输出端。本实用新型能提高转换速度、提高信号的传输速度、简化电路的版图布设以及降低设计难度。

技术领域

本实用新型涉及利用低压器件或者中压器件实现高压转换的电路，尤其涉及一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路。

背景技术

目前，被动式电容指纹识别技术是由驱动芯片和感应器这两个芯片组成，请参照图1，图1中体现了驱动芯片和感应器之间的电压域关系，通过驱动芯片把感应器芯片的地端提高，进而感应和采集指图案，芯片的接地端电压越高，指纹感应的所造成的电容变化量就越大。指纹识别芯片模组正常工作时，驱动芯片芯片需要把感应器芯片的地从0V抬高到7.5V～12V，同时驱动芯片芯片和感应器芯片的各种控制信号和数据信号都需要保持正常并相互传送。因此，需要搭配两种电平转换电路，一种是从感应器到驱动芯片的转换电路，请参照图2，用于将信号整体电平从高转换到低；另一种是从驱动芯片到感应器的转换电路，请参照图3，用于将信号整体电平从低转换到高。

其中，由于驱动芯片和感应器都是采用5V中压器件来设计，在电平转换时，5V器件两端的电压差将远超过其所设计的上限值，所以，现有技术是在两种电平之间加入PMOS_12V/NMOS_12V或者PMOS_16V/NMOS_16V高压开关管来进行分压，以保障5V中压器件两端电压不超过设计上限值，同时还可以进行数据和信号的转换和传输。但是，由于高压开关管在版图设计时需要各种单独的HV阱，所以其本身尺寸较大，寄生电容等参数也较大，其本身的导通阻抗也较大，导致现有的技术方案存在如下缺陷：首先，转换和传输的速度慢，其次，所占用的空间、器件成本和功耗也较大，此外，现有技术设计复杂，很难保证所有角下没有静态漏电流，难以满足应用要求。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种能提高转换速度、提高信号的传输速度、节省制造成本、简化电路的版图布设以及降低设计难度的用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案。

一种用于指纹识别驱动芯片的电容耦合式电平转换电路，其包括有耦合电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述耦合电容的前端作为所述电平转换电路的输入端，所述耦合电容的后端连接于第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极用于接入高电平信号，所述第一PMOS管的漏极连接于第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二PMOS管的源极和第二NMOS管的源极均连接于耦合电容的后端，所述第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极均连接于第一NMOS管的漏极，所述第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极相互连接后作为所述电平转换电路的输出端。

优选地，还包括有第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极连接高电位，所述第三PMOS管的漏极连接于第一PMOS管的源极，所述第三PMOS管的栅极用于接入第一控制信号。

优选地，还包括有第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极连接于所述电平转换电路的输出端，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的栅极用于接入第二控制信号。