[实用新型]一种多晶硅还原炉的接地保护装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种多晶硅还原炉技术领域，特别涉及一种多晶硅还原炉的接地保护装置。

背景技术

多晶硅还原炉的接地保护就是多晶硅安全生产的具体保障。现有技术中，通常采用高压隔离开关接地的方式连接至炉体硅棒进行接地，每对棒都需对应极的高压隔离开关，以致高压隔离开关数量非常多。

如图1所示现有技术的多晶硅还原炉24对棒还原炉的接地配置，其接地保护设备包括6台五极的高压隔离开关QS1～QS6。而若是36对棒还原炉，其接地保护设备包括6台三极和6台四极的高压隔离开关，或者包括6台两极和6台五极的高压隔离开关；若是48对棒还原炉，其接地保护设备6台四极和6台五极的高压隔离开关。因此，现有技术中，多晶硅还原炉采用的接地方式，其设备投入成本较高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：克服现有技术中所存在的设备投入成本较高，安装不方便，成本高的不足，提供一种多晶硅还原炉的接地保护装置。

为了实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种多晶硅还原炉的接地保护装置，所述多晶硅还原炉系统内具有N个高压启动电源、M个调功电源、M个具有N+1个极的打压接触器和M组负载，每组负载均具有N对硅棒，其中，所述接地保护装置包括总接触器和接地接触器，并且，所述总接触器和所述接地接触器的极数均具有N+1极；其中，

N个所述高压启动电源串联在一起，并通过所述总接触器和所述打压接触器分别对M负载中的N对硅棒进行击穿启动；

每个所述调功电源，用于分别对一组负载进行后续加热；停炉后，还原炉内连接每对硅棒的电极通过所述打压接触器与所述接地接触器连接，实现接地。

根据一种具体的实施方式，本实用新型的多晶硅还原炉的接地保护装置中，所述总接触器与所述接地接触器的逻辑互锁。

进一步地，所述总接触器的极和所述接地接触器的极均由多个接触器的极组合而成。

进一步地，所述总接触器的极与所述接地接触器的极一对一连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：与现有技术的接地保护设备相比，本实用新型多晶硅还原炉的接地保护装置，能够减少高压隔离开关的使用数量，降低器件故障引发的安全事故，减少接地器件间的接线，同时节约设备投入成本。

附图说明：

图1是现有技术采用的24对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；

图2是本实用新型采用的24对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；

图3是本实用新型采用的36对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；

图4是本实用新型采用的48对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本实用新型内容所实现的技术均属于本实用新型的范围。

如图2所示的本实用新型采用的24对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；其中，多晶硅还原炉的内部包括4个高压启动电源、5条高压母线、6个调功电源、6个打压接触器KM1～KM6和6组A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载，A1组有A11～A14四对硅棒，A2组有A21～A24四对硅棒，B1组有B11～B14四对硅棒，B2组有B21～B24四对硅棒，C1组有C11～C14四对硅棒，C2组有C21～C24四对硅棒。

本实用新型的接地保护装置包括总接触器KM0和接地接触器KM_PE。在24对棒多晶硅还原炉中，4个高压启动电源经5条高压母线，先通过总接触器KM0再通过打压接触器KM1～KM6，而分别对A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载中的4对硅棒进行启动。在A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载的硅棒启动完成后，A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载所分别对应的调功电源，通过真空断路器QF1～QF6，分别对A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载进行后续加热。

并且，总接触器KM0与打压接触器KM1～KM6之间的高压母线分别通过接地接触器KM_PE接地，当硅棒生长完成后，总接触器KM0保持断开，真空断路器QF1～QF6断开，打压接触器KM1～KM6吸合，通过接地接触器KM_PE，使多晶硅还原炉的内部所有电极接地，为生产人员安全拆卸硅棒和重新安装硅芯提供了强有力的保障。