[实用新型]硅基高效太阳能电池有效
| 申请号： | 201720682100.6 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN207233757U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 吴波;秦崇德;周文远;方结彬 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人： | 孔凡亮 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高效 太阳能电池 | ||
1.一种硅基高效太阳能电池，其特征在于，包括单晶硅P型电池、键合层(6)和GaInP薄膜电池，所述GaInP薄膜电池通过键合层(6)键合到单晶硅P型电池的正面。
2.根据权利要求1所述的一种硅基高效太阳能电池，其特征在于，所述单晶硅P型电池包括下电极(1)、铝背场(2)、P型层(3)、N+层(4)和钝化膜(5)；
所述下电极(1)设置在铝背场(2)上，铝背场(2)位于P型层(3)的背面，所述N+层(4)位于P型层(3)的正面，所述钝化膜(5)位于N+层(4)表面。
3.根据权利要求1或2所述的一种硅基高效太阳能电池，其特征在于，所述键合层(6)采用点阵Au/Au键合。
4.根据权利要求3所述的一种硅基高效太阳能电池，其特征在于，所述键合层(6)上开有若干圆形或方形空隙，所述空隙内填充有EVA(7)。
5.根据权利要求1所述的一种硅基高效太阳能电池，其特征在于，所述GaInP薄膜电池包括隧道结(8)、GaInP子电池和上电极(13)；
所述隧道结(8)位于键合层(6)和GaInP子电池之间，所述上电极(13)位于GaInP子电池上表面；
所述GaInP子电池包括AlGaInP背场(9)、GaInP基区(10)、GaInP发射区(11)和AlInP窗口层(12)，所述AlGaInP背场(9)、GaInP基区(10)、GaInP发射区(11)和AlInP窗口层(12)从下至上依次布置。
6.根据权利要求5所述的一种硅基高效太阳能电池，其特征在于，采用N型GaAs衬底(17)或Ge衬底作为支撑衬底，依次设有300-500nm GaAs缓冲层(16)、10-15nm的AlAs牺牲层(15)、300-500nm GaAs欧姆接触层(14)、700-2500nm的所述GaInP子电池、及10-30nm的隧道结(8)。
7.根据权利要求6所述的一种硅基高效太阳能电池，其特征在于，采用325μm GaAs-N型衬底作为支撑基底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
