[实用新型]电流镜电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电流镜像电路，并且具体地涉及一种使用具有基极电流补偿的双极结型晶体管(BJT)的电流镜电路。

背景技术

图1示出了常规电流镜电路10的电路图。该电路包括输入电流引脚12以及至少一个输出电流引脚14。电流源16生成施加到输入电流引脚12的输入电流I_输入。输入电流I_输入镜像到生成输出电流I_输出的输出电流引脚14。输出电流与输入电流的幅值之比被称为镜像比。

使用双极结型晶体管(BJT)来实现电路10。输入电流引脚12包括被配置成二极管连接器件的第一BJT器件20。第一BJT器件20的集电极端子电耦合至第一BJT器件20的基极端子，并且第一BJT器件20的集电极端子被配置成用于从电流源16接收输入电流I_输入。第一BJT器件20的发射极端子电耦合至基准电压供应节点。例如，基准电压供应节点可以包括接地(Gnd)电压节点。输出电流引脚14包括第二BJT器件22。第二BJT器件22的基极端子电耦合至第一BJT器件20的基极端子。第二BJT器件22的发射极端子电耦合至基准电压供应节点。输出电流引脚14中的输出电流I_输出在第二BJT器件22的集电极端子处生成。

图2示出了常规电流镜电路30的电路图。电路30与电路10的不同之处在于输出电流引脚14包括形成可变输出晶体管22v的多个并联连接的第二BJT器件22(1)-22(n)。第二BJT器件22(1)-22(n)的基极端子电耦合至第一BJT器件20的基极端子。第二BJT器件22(1)-22(n)的发射极端子电耦合至基准电压供应节点。第二BJT器件22(1)-22(n)的集电极端子电耦合至公共输出电流节点32。输出电流引脚14中的输出电流I_输出在公共输出电流节点32处被生成为在第二BJT器件22(1)-22(n)的集电极端子处生成的电流之和。输出电流I_输出的幅值因而取决于第二BJT器件22(1)-22(n)的数量，所述第二BJT器件使用电耦合在集电极端子与公共输出电流节点32之间的相应开关34(1)-34(n)而被致动。作为示例，多位数字控制信号D可用于选择性地致动开关34(1)-34(n)。

图3示出了常规电流镜电路50的电路图。电路50与电路30的不同之处在于提供了多个输出电流引脚14(1)-14(m)。每个输出电流引脚14(1)-14(m)包括可变输出晶体管22v。可变输出晶体管22v(1)-22v(m)的基极端子电耦合至第一BJT器件20的基极端子。可变输出晶体管22v(1)-22v(m)的发射极端子电耦合至基准电压供应节点。每个公共输出电流节点32(1)-32(m)针对相应电流通道CH(1)-CH(m)生成不同的输出电流I_输出(1)-I_输出(m)。

在比如用于生成精确量的电荷的许多应用中，练习准确控制输出电流I_输出的幅值是重要的。然而，在多位数字控制信号D的值发生变化并且给定通道CH的输出电流引脚14(1)-14(m)中的一个或多个输出电流引脚被止动时，这可能是个挑战。存在到基极端子(V_基极)处的电位中的电荷注入，这在输出电流生成中引入误差。因而在本领域中存在对在图2和图3中示出的类型的电流镜电路的有效基极电流补偿的需要。

实用新型内容

应当理解，前面的总体描述和下面的具体描述两者均是示例性且解释性的并且旨在提供对所要求保护的本实用新型的进一步解释。

在实施例中，一种电流镜电路包括输入电流引脚和输出电流引脚。该输入电流引脚包括：第一双极结型晶体管(BJT)，该BJT具有被配置成用于接收源自电流节点处的输入电流的集电极端子；以及第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，该MOSFET具有耦合至该电流节点的栅极端子以及耦合至该第一BJT的基极端子的源极端子。该输出电流引脚包括：第二BJT，该第二BJT具有被配置成用于供应输出电流的集电极端子；以及第二MOSFET，该第二MOSFET具有耦合至该电流节点的栅极端子以及耦合至该第二BJT的基极端子的源极端子。