[实用新型]外设插入检测电路及终端设备有效
| 申请号： | 201720610892.6 | 申请日： | 2017-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN206726209U | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张若寻;黄业桃;叶华林 | 申请（专利权）人： | 北京疯景科技有限公司;北京小米移动软件有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/40 | 分类号： | G06F13/40;G06F13/42 |
| 代理公司： | 北京尚伦律师事务所11477 | 代理人： | 代治国 |
| 地址： | 100041 北京市石景*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外设 插入 检测 电路 终端设备 | ||
1.一种外设插入检测电路，其特征在于，包括：
第一控制电路的一端与外设连接接口相连接，所述第一控制电路的另一端与第二控制电路的一端相连接，所述第一控制电路用于根据所述外设连接接口中是否插入外设而向所述第二控制电路发送对应的第一控制信号；
所述第二控制电路的另一端和主控芯片相连接，所述第二控制电路用于根据接收到的所述第一控制信号向所述主控芯片输入对应的第二控制信号，以使所述主控芯片根据所述第二控制信号确定所述外设连接接口中是否插入外设。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一控制电路包括：三极管；
所述三极管的基极与所述外设连接接口的电源引脚相连接；
所述三极管的发射极接地；
所述三极管的集电极与所述第二控制电路相连接。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第二控制电路包括：场效应晶体管和电源；
所述场效应晶体管的源极与所述电源相连接，所述场效应晶体管的栅极与所述三极管的集电极相连接，所述场效应晶体管的漏极与所述主控芯片的输入端相连接。
4.根据权利要求2或3所述的电路，其特征在于，所述第一控制电路还包括：第一分压电阻和第二分压电阻；
所述第一分压电阻的一端与所述外设连接接口中的电源引脚相连接，所述第一分压电阻的另一端分别与所述第二分压电阻的一端和所述三极管的基极相连接，所述第二分压电阻的另一端接地。
5.根据权利要求3所述电路，其特征在于，所述第二控制电路还包括：第一电阻；
所述第一电阻的一端与所述场效应晶体管的源极相连接；所述第一电阻的另一端与所述场效应晶体管的栅极相连接。
6.根据权利要求3所述电路，其特征在于，所述电路还包括：第二电阻；
所述第二电阻连接在所述场效应晶体管的漏极和所述主控芯片的输入端之间，且所述第二电阻的一端与所述场效应晶体管的漏极相连接；所述第二电阻的另一端与所述主控芯片的输入端相连接。
7.根据权利要求6所述电路，其特征在于，所述还包括：第三电阻；
所述第三电阻的一端与所述主控芯片的输入端相连接；所述第三电阻的另一端接地。
8.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述三极管为NPN，所述场效应晶体管为：增强型PMOS场效应晶体管。
9.一种终端设备，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的外设插入检测电路。
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