[实用新型]一种探地雷达有效

专利信息
申请号: 201720607524.6 申请日: 2017-05-26
公开(公告)号: CN206725778U 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 顾敏;王宇 申请(专利权)人: 无锡华测电子系统有限公司
主分类号: G01V3/12 分类号: G01V3/12;G01V3/08
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 代理人: 聂启新
地址: 214072 江苏省无锡市蠡园开发*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 雷达
【权利要求书】:

1.一种探地雷达,其特征在于,所述探地雷达包括:控制组件、通信组件、发射天线和接收天线,所述通信组件包括信号处理模块、发射通道、接收通道和抑制通道,所述抑制通道包括直达波抑制通道和/或地杂波抑制通道,所述信号处理模块分别连接所述发射通道和所述抑制通道的输入端,以及连接所述接收通道的输出端,所述信号处理模块还连接所述控制组件,所述发射通道的输出端连接所述发射天线,所述接收通道的输入端连接所述接收天线,所述抑制通道的输出端连接至所述接收通道;所述控制组件用于控制所述通信组件通过所述发射天线发送发射信号,并通过所述接收天线接收所述发射信号对应的回波信号,所述发射信号和所述回波信号均为连续波信号,所述通信组件通过所述抑制通道向所述接收通道输出抑制信号,所述抑制信号用于消除接收到的所述回波信号中的直达波和/或地杂波。

2.根据权利要求1所述的探地雷达,其特征在于,所述信号处理模块包括:基带处理单元、波形控制单元、发射直接数字式频率合成器DDS、抑制DDS、接收DDS和时钟单元,所述抑制DDS包括直达波抑制DDS和/或地杂波抑制DDS;所述基带处理单元连接所述波形控制单元以及所述接收通道的输出端,所述基带处理单元还用于连接所述控制组件,所述波形控制单元分别连接所述发射DDS、所述抑制DDS和所述接收DDS的输入端,所述发射DDS的输出端用于连接所述发射通道的输入端,所述抑制DDS的输出端用于连接所述抑制通道的输入端,所述接收DDS的输出端用于连接至所述接收通道,所述时钟单元的输出端连接至所述波形控制单元、所述发射DDS、所述抑制DDS和所述接收DDS,所述时钟单元的输出端还连接至所述接收通道。

3.根据权利要求2所述的探地雷达,其特征在于,所述接收通道包括依次连接的限幅器、耦合器、前置放大器、混频器、滤波器、中频放大器和模数转换器,所述限幅器的输入端用于连接所述接收天线,所述模数转换器的输出端用于连接所述基带处理单元,所述接收DDS的输出端连接至所述混频器,所述抑制通道的输出端连接至所述耦合器。

4.根据权利要求2所述的探地雷达,其特征在于,所述抑制通道包括所述直达波抑制通道和所述地杂波抑制通道,则所述通信组件还包括功率合成器,所述抑制DDS包括直达波抑制DDS和地杂波抑制DDS;所述直达波抑制DDS的输出端连接所述直达波抑制通道的输入端,所述地杂波抑制DDS的输出端连接所述地杂波抑制通道的输入端,所述直达波抑制通道和所述地杂波抑制通道的输出端分别连接所述功率合成器的输入端,所述功率合成器的输出端用于连接至所述接收通道。

5.根据权利要求4所述的探地雷达,其特征在于,所述直达波抑制通道包括依次连接的第一衰减器、第二衰减器和第一功率放大器,所述第一衰减器的输入端连接所述直达波抑制DDS,所述第一功率放大器的输出端连接所述功率合成器的输入端;所述地杂波抑制通道包括依次连接的第三衰减器、第四衰减器和第二功率放大器,所述第三衰减器的输入端连接所述地杂波抑制DDS,所述第二功率放大器的输出端连接所述功率合成器的输入端。

6.根据权利要求2所述的探地雷达,其特征在于,所述发射通道包括依次连接的滤波器、初级功率放大器、衰减器和末级功率放大器,所述滤波器的输入端连接所述发射DDS的输出端,所述末级功率放大器的输出端连接所述发射天线。

7.根据权利要求1至6任一所述的探地雷达,其特征在于,所述发射天线包括高频发射天线和低频发射天线,所述接收天线包括高频接收天线和低频接收天线,所述发射通道包括高频发射子通道和低频发射子通道,所述接收通道包括高频接收子通道和低频接收子通道,所述抑制通道包括高频抑制子通道和低频抑制子通道,所述高频抑制子通道包括高频直达波抑制子通道和/或高频地杂波抑制子通道,所述低频抑制子通道包括低频直达波抑制子通道和/或低频地杂波抑制子通道;所述高频发射子通道连接所述高频发射天线,所述低频发射子通道连接所述低频发射天线,所述高频接收子通道连接所述高频接收天线,所述低频接收子通道连接所述低频接收天线,所述高频抑制子通道连接至所述高频接收子通道,所述低频抑制子通道连接至所述低频接收子通道。

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