[实用新型]多晶硅还原炉用新型石墨组件

说明书

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产用的石墨电极，尤其涉及一种多晶硅还原炉用新型石墨组件。

背景技术

在多晶硅还原生长的过程中，多晶硅围绕硅芯生长成多晶硅棒，在靠近卡瓣的硅芯底部也会生长成多晶硅，导致卡瓣被生长完成后的多晶硅棒的底部包裹，此段包含石墨卡瓣的多晶硅棒被业界成为碳头料，这一段碳头料因含碳量高而多作废料处理，这样，导致间接的增加了多晶硅棒的成本。

在申请号为201620619644.3的专利中，卡瓣的高度约为60mm，外漏在卡帽顶部的卡瓣的高度约为20mm，在多晶硅生长完成后，由于卡瓣伸出至卡帽的外部，卡瓣暴露在还原炉的高温气氛中，导致卡瓣周围也很容易生长多晶硅，外漏在卡帽顶部的卡瓣被多晶硅包裹，造成至少20mm高度的碳头料，而这一段碳头料就是因为包含了石墨卡瓣、含碳量高，只能作为废料处理，这样，至少要损失20mm高度的高纯度多晶硅棒。

发明内容

有必要提出一种生成多晶硅过程不含碳头料的多晶硅还原炉用新型石墨组件。

一种多晶硅还原炉用新型石墨组件，包括卡帽、卡座、卡瓣，所述卡瓣的高度不高于卡帽的顶部的最高高度。

优选的，在卡瓣周围的卡帽的顶部设置环形凹槽。

优选的，所述环形凹槽的侧壁为圆弧形侧壁。

优选的，所述卡帽的顶部为斜面，以使卡帽的顶部与侧壁之间形成钝角。

优选的，所述卡帽的顶部与侧壁之间的钝角为倒圆角。

优选的，在卡帽的内壁上还设置沉槽，沉槽设置在卡帽的内螺纹的下方，在卡座的外壁上还设置凸台，凸台设置在卡座的外螺纹的下方，卡帽的沉槽的开槽深度与卡座的凸台的厚度相匹配，以使卡帽的沉槽和卡座的凸台紧密接触。

本实用新型中，降低了卡瓣的高度，在卡瓣中间固定的硅芯完全暴露在还原炉的高温气氛中，而卡瓣的高度不高于卡帽的高度，卡瓣周围的高温气氛相对较小，温度相对较低，多晶硅只会围绕硅芯生长，而在卡瓣上沉积相对较少，这样在多晶硅棒生长的过程中，硅芯底部的卡瓣上不会生成过多的多晶硅棒料，生长完成的多晶硅棒料底部所含石墨卡瓣较短，从而也解决了因多晶硅棒料生成后所含碳头料较多而浪费的问题。

使用本实用新型的石墨组件，硅芯底部的卡瓣上所生成的多晶硅棒料，比较于现有技术，至少可以减少20mm的碳头料的损失。

附图说明

图1为多晶硅还原炉用新型石墨组件的结构示意图。

图2为所述卡帽的结构示意图。

图3为所述卡座的结构示意图。

图中：卡帽10、环形凹槽11、圆弧形侧壁12、斜面13、沉槽14、内螺纹15、卡座20、凸台21、外螺纹22、卡瓣30。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

参见图1至图3，本实用新型实施例提供了一种多晶硅还原炉用新型石墨组件，包括卡帽10、卡座20、卡瓣30，卡帽10为底部开口的空心圆柱体，卡帽10的空腔用于卡座20插入，在卡帽10顶部预留卡瓣30穿过的孔，卡座20为与卡帽10的空腔匹配的圆柱体，卡瓣30夹持在卡座20与卡帽10之间，卡瓣30的顶部从卡帽10顶部预留的孔穿出，所述卡瓣30的高度经装配后不高于卡帽10的顶部的最高高度。

进一步，经装配后在卡瓣30周围的卡帽10的顶部设置环形凹槽11。

虽然在卡瓣30的周围不会生长多晶硅，但是在气相沉淀原理生长的过程中，在卡帽10的顶部还是会沉积少量的多晶硅，而卡帽10作为多次循环使用的零件，多次使用后，卡帽10顶部沉降的多晶硅越多，去除卡帽10顶部的多晶硅难度越大，常用的办法就是机械式敲击方式将卡帽10顶部的多晶硅敲掉，这样很容易将卡帽10敲坏。

为了解决这个问题，设置了环形凹槽11，由于多晶硅生长是围绕硅芯生长，所以在靠近硅芯或卡瓣30的卡帽10上也很容易沉积多晶硅料，环形凹槽11作为多晶硅预沉积槽，即使多晶硅落入该环形凹槽11，在卡帽10多次循环使用后，可以先敲掉此处的多晶硅，而在卡帽10前期使用时，在此处沉积的多晶硅还没有将环形凹槽11填满后，也可以不做处理，这样减少了卡帽10被敲击的次数，拉长了卡帽10的使用寿命。