[实用新型]一种手机用LED亮度测试装置

说明书

技术领域

本实用新型属于电子通信领域，涉及一种手机测试设备，具体涉及一种手机用LED亮度测试装置。

背景技术

手机背光LED的亮度是手机测试时的测试参数之一，测试时，一般通过测量LED上流过的电流标定LED亮度，但对于部分LED，由于设计或制造缺陷或运输存储不当，造成亮度与电流值不能匹配，使得LED上的电流值不能准确反应LED的发光亮度，亮度的肉眼观测也存在主观性强，因人而异的问题。

实用新型内容

为克服现有技术测量手机背光LED亮度存在电流与亮度不匹配的技术缺陷，本实用新型公开了一种手机用LED亮度测试装置。

本实用新型所述手机用LED亮度测试装置，包括LED发光支路和亮度测量支路，所述LED发光支路包括待测LED,及与待测LED串联的调整管，所述调整管漏极连接电流设定电阻及第一运算放大器负极，所述第一运算放大器正极连接一个基准电压，第一运算放大器的输出端与调整管控制端连接；

所述亮度测量支路包括一个二极管形式连接的PMOS管，及与PMOS管串联的光敏二极管，所述光敏二极管负极通过一个下拉电阻接地；所述光敏二极管与待测LED在空间上靠近布置；

还包括一个第二运算放大器，第二运算放大器的两个输入端分别连接光敏二极管负极和调整管漏极。

具体的，所述下拉电阻与电流设定电阻的阻值为1：300-1000。

优选的，还包括输入端与第二运算放大器输出端连接的模数转换器。

采用本实用新型所述的手机用LED亮度测试装置，所有测量器件可以集成在一个电路板中，对于手机亮度能够进行定量化测量，从而可以积累数据对手机亮度的正常值进行判断检测。

附图说明

图1为本实用新型所述手机用LED亮度测试装置的一种具体实施方式结构示意图，图中附图标记名称为D1-待测LED，D2-光敏二极管，P-PMOS管，N-调整管，AMP1-第一运算放大器，AMP2-第二运算放大器，ADC-模数转换器，R1-电流设定电阻，R2-下拉电阻,VREF-基准电压。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型的具体实施方式作进一步的详细说明。

本实用新型所述手机用LED亮度测试装置，包括LED发光支路和亮度测量支路，所述LED发光支路包括待测LED,及与待测LED串联的调整管，所述调整管漏极连接电流设定电阻及第一运算放大器负极，所述第一运算放大器正极连接一个基准电压，第一运算放大器的输出端与调整管控制端连接；

所述亮度测量支路包括一个二极管形式连接的PMOS管，及与PMOS管串联的光敏二极管，所述光敏二极管负极通过一个下拉电阻接地；所述光敏二极管与待测LED在空间上靠近布置；所谓靠近布置，使光敏二极管能尽可能接收到待测LED发光照射，通常是二者平行布置，间距以隔热距离为限，一般不超过2厘米。

还包括一个第二运算放大器，第二运算放大器的两个输入端分别连接光敏二极管负极和调整管漏极。

第一运算放大器负极和输出端与调整管的栅极和漏极连接，电路正常工作时，调整管的负反馈使得第一运算放大器两个输入端电压相等，使得流过电流设定电阻的电流由正极电压和其阻值决定，待测LED与调整管和电流设定电阻串联，从而使得待测LED电流等于基准电压的电压值除以电流设定电阻。通过调整基准电压值或电流设定电阻，可以连续变化流过待测LED的电流。

待测LED与光敏二极管靠近布置，使光敏二极管能够检测到待测LED发光，光敏二极管的导通电流由接收到到的光亮度决定，而导通电流可以由检测下拉电阻上的压降测量得出。

第二运算放大器检测下拉电阻上的压降，即光敏二极管负极电压；与表征待测LED电流的调整管漏极电压，输出一个模拟电压值，即可得到待测LED的电流与其亮度的量化关系。通过检测多个正常LED的模拟电压值，当检测到与正常LED模拟电压值差距明显的待测LED时，即可判断出该LED的亮度与电流值不相匹配。发明人经过实际测试发现，将来下拉电阻与电流设定电阻的阻值设置在1：300-1000范围内，能使第二运算放大器工作在放大区范围内，实现精确检测。

还可以设置一个输入端与第二运算放大器输出端连接的模数转换器，将第二运算放大器输出的模拟电压转化为一个数字值，从而更方便检测判断。

采用本实用新型所述的手机用LED亮度测试装置，所有测量器件可以集成在一个电路板中，对于手机亮度能够进行定量化测量，从而可以积累数据对手机亮度的正常值进行判断检测。

前文所述的为本实用新型的各个优选实施例，各个优选实施例中的优选实施方式如果不是明显自相矛盾或以某一优选实施方式为前提，各个优选实施方式都可以任意叠加组合使用，所述实施例以及实施例中的具体参数仅是为了清楚表述实用新型人的实用新型验证过程，并非用以限制本实用新型的专利保护范围，本实用新型的专利保护范围仍然以其权利要求书为准，凡是运用本实用新型的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本实用新型的保护范围内。