[实用新型]一种承载基座及预清洗装置有效
| 申请号： | 201720585516.6 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN206907751U | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 常大磊;陈鹏;赵梦欣;李冬冬;李萌;刘菲菲;刘建生 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 曾晨,马佑平 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 承载 基座 清洗 装置 | ||
1.一种承载基座，用于承载待加工工件，其特征在于，所述承载基座上形成有第一凹部，所述待加工工件容纳于所述第一凹部中；
所述第一凹部的底壁上设有第二凹部，所述第二凹部用于降低所述待加工工件中心区域的刻蚀速率。
2.根据权利要求1所述的承载基座，其特征在于，所述第一凹部、所述第二凹部与所述承载基座同心设置。
3.根据权利要求1所述的承载基座，其特征在于，所述第一凹部开设于所述承载基座的承载面上。
4.根据权利要求3所述的承载基座，其特征在于，所述第一凹部的直径大于所述待加工工件的直径，且二者直径的差值范围为1mm-6mm，所述第一凹部的深度的取值范围为0.3mm-1.5mm。
5.根据权利要求1所述的承载基座，其特征在于，所述第二凹部的开口的面积为所述待加工工件的表面积的40％-95％，所述第二凹部的深度的取值范围为0.1mm-0.5mm。
6.根据权利要求1所述的承载基座，其特征在于，所述承载基座上设有用于所述待加工工件的支撑针升降的通孔，所述通孔与所述待加工工件的边缘的径向距离不小于10mm。
7.根据权利要求1所述的承载基座，其特征在于，所述承载基座上未设置有所述第一凹部的表面设有陶瓷层。
8.根据权利要求1所述的承载基座，其特征在于，所述第一凹部和第二凹部的表面上均设有阳极氧化膜。
9.根据权利要求1所述的种承载基座，其特征在于，所述承载基座的边缘区域设有介质环，所述介质环的内周壁与所述承载基座的承载面形成所述第一凹部。
10.根据权利要求9所述的承载基座，其特征在于，所述介质环的内径大于所述待加工工件的直径，且二者直径的差值范围为2mm-4mm，所述介质环的厚度取值范围为3mm-5mm。
11.根据权利要求9所述的承载基座，其特征在于，所述承载基座还包括定位件，所述定位件与所述承载基座的径向配合，用于使所述介质环定位在所述承载基座上。
12.根据权利要求11所述的承载基座，其特征在于，所述定位件与所述介质环二者一体成型。
13.一种预清洗装置，其特征在于，包括腔体和权利要求1至12任一项中所述的承载基座，所述承载基座设置于所述腔体中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
