[实用新型]一种改善隔离度的径向波导功率分配/合成器有效
申请号: | 201720582191.6 | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN206834315U | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 褚庆昕;何殷健 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01P5/16 | 分类号: | H01P5/16 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 冯炳辉 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 隔离 径向 波导 功率 分配 合成器 | ||
1.一种改善隔离度的径向波导功率分配/合成器,其特征在于:包括上盖板、上盖垫片、膜片层盖板、主腔体块、下盖垫片、下盖板、电阻膜片、标准SMA接头、馈电探针;所述主腔体块内形成有上下两个开口的空腔,该两个空腔之间连通有一个供用作中心输入/输出端口的标准SMA接头通过的第一中心通孔及围绕该第一中心通孔均匀分布的多个第一贯穿槽;所述膜片层盖板放置在主腔体块上,并盖住主腔体块的上空腔,与该主腔体块构成非封闭径向波导腔体,所述膜片层盖板的上表面中部下沉有一个形成大小与上盖垫片相匹配的容置槽,所述容置槽槽底上开有多个围绕其中心均匀分布的第一通孔,用于通过用作外围输出/输入端口的标准SMA接头,同时该容置槽槽底上开有多个与上述第一通孔交错相间均布的第二贯穿槽,且每个第二贯穿槽上均覆盖有一片电阻膜片;所述上盖垫片放置在膜片层盖板的容置槽中,并垫压覆盖于第二贯穿槽上的电阻膜片,同时该上盖垫片上开有多个与膜片层盖板上的第一通孔一一对应的第二通孔,用于通过用作外围输出/输入端口的标准SMA接头;所述上盖板放置在膜片层盖板上,该上盖板的上表面设有多个围绕其中心均匀分布的第一安装槽,用于放置用作外围输出/输入端口的标准SMA接头,所述第一安装槽槽底上开有供该标准SMA接头通过的第三通孔以及用于固定该标准SMA接头的螺钉孔;每个第一贯穿槽朝向主腔体块下空腔的槽口均覆盖有一片电阻膜片,待第一贯穿槽和第二贯穿槽均覆盖上电阻膜片后,所述膜片层盖板与主腔体块构成封闭径向波导腔体;所述下盖垫片放置在主腔体块的下空腔中,并垫压覆盖于第一贯穿槽上的电阻膜片,该下盖垫片的形状大小与主腔体块的下空腔相匹配,同时该下盖垫片上开有一个与上述第一中心通孔对应的第二中心通孔,用于通过用作中心输入/输出端口的标准SMA接头;所述下盖板中心设有一个第二安装槽,用于放置用作中心输入/输出端口的标准SMA接头,所述第二安装槽槽底上开有供该标准SMA接头通过的第三中心通孔以及用于固定该标准SMA接头的螺钉孔;所述标准SMA接头伸进主腔体块内的一端连接有馈电探针,其另一端与外界信号系统相接;所述上盖板、上盖垫片、膜片层盖板、主腔体块、下盖垫片、下盖板组装后采用螺钉进行整体组合固定。
2.根据权利要求1所述的一种改善隔离度的径向波导功率分配/合成器,其特征在于:所述主腔体块内的上、下空腔为形状大小相匹配的圆柱形腔体,其半径初始值、高度初始值由以下公式确定:
R=λL/2+λM/4
式中,λL为最低工作频率导波波长,λM为中间工作频率导波波长;
H=λH/2
式中,λH为最高工作频率导波波长。
3.根据权利要求1所述的一种改善隔离度的径向波导功率分配/合成器,其特征在于:所述馈电探针由相连的圆柱段与圆锥阻抗渐变段组成,所述圆锥阻抗渐变段尖端与标准SMA接头内导体相接;所述馈电探针总长度由以下公式确定:
L=λM/4
式中,λM为中间工作频率导波波长。
4.根据权利要求1所述的一种改善隔离度的径向波导功率分配/合成器,其特征在于:所述上盖板、上盖垫片、膜片层盖板、主腔体块、下盖垫片、下盖板均为圆形金属件。
5.根据权利要求1所述的一种改善隔离度的径向波导功率分配/合成器,其特征在于:所述电阻膜片为在陶瓷基板上覆盖氮化钽的具有电阻性的膜片。
6.根据权利要求1所述的一种改善隔离度的径向波导功率分配/合成器,其特征在于:所述第一安装槽和第二安装槽为矩形凹槽。
7.根据权利要求1所述的一种改善隔离度的径向波导功率分配/合成器,其特征在于:所述第一贯穿槽和第二贯穿槽为条形槽。
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