[实用新型]一种功率型紫外LED器件

说明书

技术领域

本实用新型属于LED光源器件技术领域，特别是涉及一种功率型紫外LED器件。

背景技术

随着技术的发展，紫外LED的性能得到不断的提升，与目前常用的气体紫外光源相比较，紫外LED属于冷光源，具有寿命长、可靠性高、照射亮度均匀、效率高以及不含有毒物质的优点，在生物医疗、表面杀菌清洁、印刷光刻、光固化生产以及通信探测等领域中都具有重要的作用。目前在制备LED外延片的过程中，衬底模板和外延层等材料在生长时，存在表面裂纹、晶体质量差、结构材料设计困难等缺陷，而后期共晶焊和倒装工艺过程中，也存在着大功率LED芯片尺寸大、产热多、SiO₂层散热差、刻蚀面积大而导致发光面积小、发光强度低、亮度不高以及存在漏电、电压浪涌、静电释放危害等问题，还存在LED外延片多层结构中深紫外光的全内反射损失，以及电极对光线的吸收而导致光提取效率差，甚至出现LED芯片因紫外光照射而出现性能急剧恶化等现象，明显缩短了LED器件的使用寿命，降低了可靠性。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种功率型紫外LED器件，不仅出光量更大、散热性能更优越，还能够减小封装及组装过程中静电释放对LED芯片的危害，并能够避免单一结构的静电保护二极管损坏后造成整体失效。

本实用新型提供的一种功率型紫外LED器件，包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片，所述散热基板包括底座，所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层，所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组。

优选的，在上述功率型紫外LED器件中，所述外部静电保护模组为依次横向沉积在所述第一通孔里面的n型接触层和p型接触层，或者，n型接触层、p型接触层和n型接触层。

优选的，在上述功率型紫外LED器件中，所述复合层包括利用导电银浆依次固定在所述底座表面的第一氮化铝层、第一金属布线层、第二氮化铝层和第二金属布线层。

优选的，在上述功率型紫外LED器件中，所述第一氮化铝层和所述第二氮化铝层中设置有多个贯穿其中的微型的第二通孔，且所述第二通孔里面设置有用于使不同的金属布线层实现电连接的金属层。

优选的，在上述功率型紫外LED器件中，所述LED芯片包括依次设置在蓝宝石材质的衬底底面上的氮化铝缓冲层、成核层、n型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN层、反射层、导电薄膜层以及包围上述各层外周部的钝化层，所述钝化层的底部向上直到所述反射层的底面开设出一个P电极，且所述钝化层的底部向上直到所述n型AlGaN层的底面开设出至少一个N电极。

优选的，在上述功率型紫外LED器件中，所述反射层为银层或镍铝合金层。

优选的，在上述功率型紫外LED器件中，所述底座为碳化硅底座或陶瓷底座。

优选的，在上述功率型紫外LED器件中，所述P电极和所述N电极均为锑铝合金电极。

通过上述描述可知，本实用新型提供的上述功率型紫外LED器件，由于包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片，所述散热基板包括底座，所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层，使得散热性能更好，并且所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组，因此能够减小封装及组装过程中静电释放对LED芯片的危害，并能够避免单一结构的静电保护二极管损坏后造成整体失效。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的第一种功率型紫外LED器件的示意图；

图2为外部静电保护模组与LED芯片的连接示意图。

具体实施方式

本实用新型的核心思想在于提供一种功率型紫外LED器件，不仅散热性能更好、出光量更大，而且能够减小封装及组装过程中静电释放对LED芯片的危害，并能够避免单一结构的静电保护二极管损坏后造成整体失效。