[实用新型]一种静电保护结构、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种静电保护结构、阵列基板及显示装置。

背景技术

在液晶显示领域，静电放电一直是影响液晶面板正常工作的不良因素之一。为了提高液晶面板对静电破坏的抵抗能力，现有技术中通常会在液晶面板中设计静电保护结构，通过静电保护结构将传导进液晶面板的静电释放到公共电极线上，从而避免烧线或击穿膜层现象的发生。

现有技术中的静电保护结构可参考图1和图2所示，其中图2为图1沿AA’方向的截面图，静电保护结构主要由两个常规TFT管构成，主要构成膜层包括栅极01、栅绝缘层02、有源层03，以及包含源极041和漏极042的源漏层04、保护层05和ITO导电层06等。由于现有的静电保护结构膜层多，结构复杂，实际使用时在栅极01与源漏层04的跨接处、源漏层04与ITO导电层06的跨接处、保护层05的过孔07处等位置容易发生静电击穿而导致静电保护结构失效，影响静电保护结构的静电保护能力。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种静电保护结构、阵列基板及显示装置，能够简化静电保护结构的层级结构，提高静电保护结构的静电保护能力。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，本实用新型实施例提供一种静电保护结构，包括：

形成在基板上的第一栅极和第二栅极，形成在所述第一栅极和所述第二栅极上的第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的第一半导体图案和第二半导体图案，覆盖所述第一半导体图案和所述第二半导体图案上的第二绝缘层，以及形成在所述第二绝缘层上的导电层；

所述导电层包括相互间隔的第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔与所述第一栅极接触；所述第一部分和所述第二部分分别通过形成在所述第二绝缘层中的第二过孔和第三过孔与所述第一半导体图案接触；所述第二部分通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第四过孔与所述第二栅极接触；所述第二部分和所述第三部分分别通过形成在所述第二绝缘层中的第五过孔和第六过孔与所述第二半导体图案接触；

所述第一部分和所述第三部分通过导电走线电连接。

可选的，所述导电层的材料为铟锡氧化物。

可选的，所述导电走线与所述导电层同层设置。

可选的，所述导电走线的材料为铟锡氧化物。

可选的，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料为无机绝缘材料。

可选的，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的材料为氧化物半导体材料。

另一方面，本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括第一信号线、第二信号线，以及上述中任意一种所述的静电保护结构；

所述第一栅极与所述第一信号线连接；所述第二栅极与所述第二信号线连接。

可选的，所述第一信号线为栅线或数据线，所述第二信号线为公共电极线；

或者，所述第一信号线为公共电极线，所述第二信号线为栅线或数据线。

再一方面，本实用新型实施例提供一种显示装置，包括上述任意一种所述的阵列基板。

本实用新型实施例提供一种静电保护结构，包括：形成在基板上的第一栅极和第二栅极，形成在第一栅极和第二栅极上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上的第一半导体图案和第二半导体图案，覆盖第一半导体图案和第二半导体图案上的第二绝缘层，以及形成在第二绝缘层上的导电层；导电层包括相互间隔的第一部分、第二部分和第三部分；第一部分通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的第一过孔与第一栅极接触；第一部分和第二部分分别通过形成在第二绝缘层中的第二过孔和第三过孔与第一半导体图案接触；第二部分通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的第四过孔与第二栅极接触；第二部分和第三部分分别通过形成在第二绝缘层中的第五过孔和第六过孔与第二半导体图案接触；第一部分和第三部分通过导电走线电连接。相较于现有技术，本实用新型实施例提供的静电保护结构中的导电层利用过孔与第一半导体图案和第二半导体图案直接接触，这样省去了现有技术中的源漏层，简化了静电保护结构的层级结构，并且由于省去了现有技术中的源漏层，这样规避了栅极和源漏层的跨接、源漏层与导电层的跨接等，从而减少了静电保护结构被静电击穿的概率，提高了静电保护结构的静电保护能力；同时，由于不需要制作源漏层，这样减少了源漏层在制作过程中出现过刻或爬坡处膜层断裂等问题时对静电保护结构的静电保护能力造成的影响，从而进一步提高了静电保护结构的静电保护能力。

附图说明