[实用新型]一种具有过载保护电路的调光器有效
| 申请号: | 201720410915.9 | 申请日: | 2017-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN206851080U | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
| 发明(设计)人: | 王其明 | 申请(专利权)人: | 赛尔富电子有限公司 |
| 主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08;H02H3/08 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 315103 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 过载 保护 电路 调光器 | ||
1.一种具有过载保护电路的调光器,其特征在于:所述具有过载保护电路的调光器包括一个输入输出模块,一个与所述输入输出模块电性连接的控制模块,以及一个连接在所述输入输出模块与控制模块之间的过载保护电路模块,所述输入输出模块包括一个直流变换模块,以及一个与所述直流变换模块电性连接的NMOS管,所述直流变换模块包括正、负交流端和正、负直流端,所述NMOS管的漏极与直流变换模块的正直流端连接,源极与所述直流变换模块的负直流端连接,所述控制模块包括一个PWM信号输出单元,以及一个用于控制所述PWM信号输出单元的输出的输出控制单元,所述PWM信号输出单元与NMOS管的栅极电性连接以输出PWM信号控制所述NMOS管的输出,所述过载保护电路模块包括一个电性连接在所述NMOS管的栅极与源极之间的开关单元和一个电性连接在所述NMOS管的源极与所述输出控制单元之间的过载信号输入单元,所述开关单元用于控制所述NMOS管的通断,所述过载信号输入单元用于在所述NMOS管关断时输出控制信号以控制所述PWM信号输出单元停止输出PWM信号。
2.如权利要求1所述的具有过载保护电路的调光器,其特征在于:所述直流变换模块为一个桥堆。
3.如权利要求1所述的具有过载保护电路的调光器,其特征在于:所述直流变换模块的负交流端电性连接LED电源或LED灯。
4.如权利要求1所述的具有过载保护电路的调光器,其特征在于:所述输入输出模块还包括一个用于为所述NMOS管提供电力的MOS管电源,所述MOS管电源的电力加载在所述NMOS管的栅极上。
5.如权利要求4所述的具有过载保护电路的调光器,其特征在于:所述控制模块还包括一个电性连接在所述PWM信号输出单元与所述NMOS管的栅极之间的隔离元件,所述隔离元件用于隔离加载在所述控制模块上的电力与所述MOS管电源所提供的电力。
6.如权利要求5所述的具有过载保护电路的调光器,其特征在于:所述隔离元件为一个光耦二极管N2,所述光耦二极管N2的阳极与PWM信号输出单元电性连接,阴极接地,所述光耦二极管N2的发射极与NMOS管的栅极电性连接,集电极与MOS管电源电性连接。
7.如权利要求1所述的具有过载保护电路的调光器,其特征在于:所述开关单元包括一个可控硅,所述可控硅的阳极与NMOS管的栅极电性连接,阴极与地连接,栅极与NMOS管的源极电性连接。
8.如权利要求1所述的具有过载保护电路的调光器,其特征在于:所述开关单元包括一个PNP型三极管Q2与一个NPN型三极管Q3,所述PNP型三极管Q2的发射极与NMOS管的栅极电性连接,基极与所述NPN型三极管Q3的集电极电性连接并与NMOS管的栅极电性连接,所述PNP型三极管Q2的集电极与NPN型三极管Q3的基极电性连接并与NMOS管的源极电性连接,所述NPN三极管Q3的发射极接地。
9.如权利要求1所述的具有过载保护电路的调光器,其特征在于:所述过载信号输入单元包括一个光耦二极管N1,所述光耦二极管N1的阳极与NMOS管的源极电性连接,阴极接地,所述光耦二极管N1的发射极与所述输出控制单元电性连接,集电极接地。
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