[实用新型]双面发电光伏结构及双面发电光伏组件有效
申请号: | 201720386103.5 | 申请日: | 2017-04-13 |
公开(公告)号: | CN206657814U | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 倪健雄;耿亚飞;李亚彬;何毅 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 米文智 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 电光 结构 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏技术领域,具体的涉及双面发电光伏结构及双面发电光伏组件。
背景技术
双面发电光伏组件由于可以有效利用背面入射光线,综合发电量增益可提30%以上。在资源供求矛盾日益激烈的情况下,如何在现有双面发电电池组件基础上进一步开发其优势是光伏技术研究的重要方向。
双面发电光伏组件的一般结构类似于专利CN202423340U中的一种 N 型太阳能双面发电组件,通过前钢化玻璃、电池片层、透明背板和边框组成双面发电光伏组件,由于其背板透明,故在使用过程中,背面入射的光线可以被电池有效吸收,从增加整体发电量,进一步提高发电效率。但与此同时,由于在电池片层的电池片在封装成组件时,电池片之间会间隔一定距离,形成空白区;再加上背板和前钢化玻璃的双面透光性,光照射到空白区后会直接穿过,不能直接被电池片吸收,造成光源的浪费,使双面发电光伏组件的单面测试功率较常规组件偏低。
实用新型内容
本实用新型的一个目的在于提供一种减少电池片之间的空白区对光源的浪费、提高光源利用率的双面发电光伏结构。
本实用新型的另一个目的在于提供一种采用上述双面发电光伏结构,单面测试功率较高的双面发电光伏组件。
为实现上述目的,本实用新型所采取的技术方案为:
一种双面发电光伏结构,包括依次叠设的第一封装层、光伏电池层和第二封装层;所述光伏电池层的双面光伏电池之间存在空白区;其在所述空白区设有由所述第一封装层和所述第二封装层经物理混合和/或化学反应形成的反射层,所述第一封装层和所述第二封装层为不同的材质。
进一步的,反射层的折射率大于第一封装层的折射率和第二封装层的折射率。
进一步的,反射层的厚度为双面光伏电池厚度的0.1倍-1倍。
进一步的,反射层的表面为曲面或折面。
进一步的,第一封装层和第一封装层厚度为0.4mm-0.72mm。
进一步的,第一封装层和第二封装层的材料为EVA(聚乙烯-乙烯酸乙酯)、PVB(聚乙烯醇甲醛交联物)、PO(热塑性和/或热固性聚烯烃)、Inomer(聚乙烯-乙酸酯离子聚合物)、环氧树脂和有机硅粘合剂中的任意两种。
一种双面发电光伏组件,包括框架和依次叠设的第一表层、光伏发电层和第二表层;第一表层和第二表层为透明材料;其特征在于:光伏发电层采用上述双面发电光伏结构。
本实用新型的有益效果是:本实用新型的双面发电光伏结构通过第一封装层和第二封装层物理混合和/或化学反应形成反射层,使得反射层准确的设置在双面光伏电池之间存在空白区,避免了反射层错位遮挡双面光伏电池的问题。同时,反射层连接第一封装层和第二封装层,使得第一装层和第二封装层连接更牢固、与双面光伏电池贴合更紧密,防止异物进入,采光效率更高。本实用新型的双面发电光伏组件采用上述双面发电光伏结构,提高了光源利用率,提高了单面测试功率。
附图说明
图1为本实用新型双面发电光伏结构的横截面示意图;
图2为本实用新型双面发电光伏组件的横截面示意图。
图中:1-第一封装层、2-第二封装层、3-双面光伏电池、4-反射层、5-第一表层、6-第二表层。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
一种双面发电光伏结构,包括依次叠设的第一封装层1、光伏电池层和第二封装层2;光伏电池层的双面光伏电池3之间存在空白区;其还包括由第一封装层1和第二封装层2在空白区经物理混合和/或化学反应形成的反射层4。本实用新型的双面发电光伏结构通过第一封装层1和第二封装层2物理混合和/或化学反应形成反射层4,使得反射层4准确的设置在双面光伏电池3之间存在空白区,不存在反射层4错位遮挡双面光伏电池3的问题。同时,反射层4连接第一封装层1和第二封装层2,使得第一装层和第二封装层2连接更牢固、与双面光伏电池3贴合更紧密,防止异物进入,采光效率更高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的