[实用新型]一种多片拼接高效晶硅电池组件有效
申请号: | 201720383200.9 | 申请日: | 2017-04-13 |
公开(公告)号: | CN206727090U | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 杨磊;勾宪芳;范维涛;黄青松;苏杨杨;赵雷 | 申请(专利权)人: | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 汤磊 |
地址: | 212132 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 拼接 高效 电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及新型晶体硅电池领域,特别是一种多片拼接高效晶体硅电池组件。
背景技术
太阳能光伏发电作为一种新能源,将在未来的能源消费中,占据重要的位置。随着太阳能技术的不断进步,大型系统电站高速增长,由于可利用光伏发电土地资源的不断减少,高效晶硅电池组件的需求不断上升,未来太阳能市场发展,光伏发电将主要集中在高效晶硅电池组件的开发与应用上。
目前市场上,太阳能电池组件存在两种结构。
一是涂锡铜带互联形成的常规组件,光伏组件的核心元件是电池片,由于单个电池片不便运输、易被损坏、电压较小,需要对电池片进行封装并将电池片串联起来以达到一定要求的电压,常规组件一般是60片或72片进行串联,因电气性能的要求,片与片之间需留有一定距离的间隙。照射在间隙位置上的太阳光经过多次折射、反射后,势必有一部分太阳光最终射到组件外部,以及电池片本身的金属栅线也会遮挡光照,这降低了组件对太阳光的利用。在串联过程中互联条因自身电阻等也会产生损耗,这几方面的损耗是目前常规组件难以避免的。
二是导电胶粘接形成的叠片组件,此类组件电池片需要进行堆叠,堆叠部分依然会损失电池表面的受光面积。
以上两种结构都存在晶硅电池利用率低的缺点,无法高效的利用同等面积的晶硅电池片。并且市场现有结构太阳能组件,普遍都有同质化,导致产品性能质量不足或过剩现象存在。
实用新型内容
实用新型目的:针对上述问题,本实用新型的目的是提供一种多片拼接高效晶硅电池组件,对于同等面积的晶硅电池,降低损耗,提高组件功率和发电能力。
技术方案:一种多片拼接高效晶硅电池组件,所述电池组件包括自上而下依次层叠设置的上表面玻璃、上表面胶膜、电池串、下表面胶膜、背板材料,所述电池组件四周密封,所述电池串由若干个切片电池通过导电介质串联拼接而成,所述电池串沿纵向或横向排成阵列,在所述阵列的两端均设有汇流条,所述背板材料设有开口,所述汇流条相互连通并通过引出线在所述开口处与所述背板材料外侧的接线盒相连。
进一步的,所述切片电池为单位晶硅电池片的1/2~1/20切片。
进一步的,所述切片电池为晶体硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、有机太阳能电池、染料敏化太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、化合物类太阳能电池、异质结太阳能电池中的任一种切片形成。
进一步的,所述切片电池是以激光划片得到的,或是以开槽并采取热胀冷缩的机理进行裂片得到的。
进一步的,所述电池串的相邻切片电池之间的间距为0~0.6mm。
进一步的,所述电池串的切片电池数量为2~60片。
进一步的,所述阵列由所述电池串对称串联后并联连接组成。区别于常规晶硅电池组件的串并联方式,兼顾了厚度电池发展后的多主栅情况,即在更多的主栅线时也可以通过此种方式进行串并联且效果更优。
进一步的,所述导电介质为低温、柔性导电介质,具体可以是低温导电胶带、透明导电胶、导电胶膜、导电浆料、导电粘结剂的其中一种,可在电池串形成过程中直接形成欧姆接触,还可避免因为热胀冷缩及材料系数不同造成的电池发电单元的隐裂、碎片等情况。
进一步的,所述导电介质与所述切片电池通过丝网印刷或喷墨印刷或加热涂覆的方式进行固化粘接。
进一步的,所述电池组件的电池串数量为2~20串。
进一步的,所述电池组件四周采用边框和胶体密封,提高电池组件机械载荷能力。
有益效果:与现有技术相比,本实用新型的优点是:采用由单位晶硅电池片切片得到的切片电池以导电介质串联组成电池串,降低组件功率损失,有效提高单块组件功率和单位面积上的发电能力,并根据切片电池的结构特性,构建串联连接结构,降低电流传输路径,有效提升电流传输效率,提高产品质量。
附图说明
图1为本实用新型结构主视图;
图2为将电池组件沿电池串纵向剖的剖视图;
图3为导电介质串联切片电池的结构示意图;
图4为电池片叠片堆叠的电池串其电流传输示意图;
图5为本实用新型电池串电流传输示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本实用新型,应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围,在阅读了本实用新型之后,本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的