[实用新型]一种用于高效太阳能电池激光工艺的辅助装置有效
| 申请号: | 201720372368.X | 申请日: | 2017-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN206947364U | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
| 发明(设计)人: | 班文政;蒋秀林;吴兰峰;王玉林;单伟 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人: | 李海波,侯莉 |
| 地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 高效 太阳能电池 激光 工艺 辅助 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于高效太阳能电池激光工艺的辅助装置。
背景技术
在常规能源日益消耗的今天,新能源将是可持续发展的保障,而且常规能源对环境的污染也迫使我们去寻求一种绿色能源。太阳能电池无疑是一种最具潜力的新能源,尤其当下,太阳能电池的成本日益下降,光电转换效率不断提升,更提高了太阳能电池成为未来替代能源的可能性。
随着光伏行业的日益发展,高效太阳能电池已在市场中占有一席之地。各大公司也都开始积极重视研发高效太阳能电池并投入量产抢占市场。高效太阳能电池迎来了前所未有的蓬勃发展,例如IBC电池、RIE电池、PERC电池等都是研发的重点,尤其如PERC电池,其是目前市场中发展前景最好的高效电池,具有更大的市场潜力,它是仍在继续研发的重点。
在高效太阳能电池的制程中,很多工序都离不开激光工艺,激光工艺可以更准确、简捷的实现工序需求,例如SE电池的激光掺杂、PERC电池背面的开槽、IBC电池的激光开掩膜等等。但是,激光工艺具有以下缺陷:它存在着几何畸变,表现为x方向上的枕形失真、y方向上的桶形失真以及一般的线性失真,激光失真将直接影响高效太阳能电池的质量,进而影响其光电转换效率。
为了解决上述问题,目前的做法是采用调整软件算法或者调整激光工艺的方式,但是,这些方法不仅耗时耗力,而且严重影响生产效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种结构简单、成本低、省时省力、提高生产效率、提高电池质量、进而提高光电转换效率的用于高效太阳能电池激光工艺的辅助装置。
本实用新型的上述目的通过以下的技术措施来实现:一种用于高效太阳能电池激光工艺的辅助装置,其特征在于:包括板体,在所述板体上设有镂空区域,所述镂空区域由若干条长形的镂空孔并列排布而成,各镂空孔分别与高效太阳能电池上需要打激光的区域相对应,所述辅助装置水平置于高效太阳能电池的上方,由位于镂空孔处光斑直径大于镂空孔宽度的激光穿过该镂空孔后打在高效太阳能电池所对应的区域上,最终由完全覆盖住镂空孔的激光在高效太阳能电池上刻划出和镂空孔相同的图案。
本实用新型相比于现有采用调整软件算法或者调整激光工艺的方法,省时省力,可以提高生产效率,而且提高了太阳能电池的质量,进而提高了光电转换效率。另外,本实用新型结构简单、制造成本低、适用性强,适于广泛推广和适用。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述辅助装置的大小和高效太阳能电池的大小相同。
作为本实用新型的一种实施方式,所述辅助装置的厚度为0.5~1mm。
作为本实用新型的一种推荐的实施方式,所述辅助装置采用金属材料制成,所述辅助装置的上表面为接受激光的受光面,所述受光面做抛光处理。
作为本实用新型的一种实施方式,激光的波长为1064nm,或者为1064nm倍频后的各个波长,激光脉宽为纳秒级。
与现有技术相比,本实用新型具有如下显著的效果:
⑴本实用新型相比于现有采用调整软件算法或者调整激光工艺的方法,省时省力,可以提高生产效率,而且提高了太阳能电池的质量,进而提高了光电转换效率。
⑵本实用新型结构简单、制造成本低、适用性强,适于广泛推广和适用。
附图说明
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
图1是本实用新型在使用过程中的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,是本实用新型一种用于高效太阳能电池激光工艺的辅助装置,包括板体1,在板体1上设有镂空区域,镂空区域由若干条长形的镂空孔2并列排布而成,各镂空孔2分别与高效太阳能电池上需要打激光的区域相对应,辅助装置的大小和高效太阳能电池的大小相同,辅助装置水平置于高效太阳能电池的正上方,保证和电池对准并固定。由位于镂空孔2处光斑直径大于镂空孔2宽度的激光3穿过该镂空孔2成为激光4后打在高效太阳能电池所对应的区域上,最终由完全覆盖住镂空孔2的激光3在高效太阳能电池上刻划出和镂空孔2相同的图案。该辅助装置上的镂空区域的图案和电池上需要打激光的区域图案一致,形成一组并排的长条形镂空孔2的矩形阵列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





