[实用新型]一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构

说明书

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构。

背景技术

自1954年第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，晶体硅太阳能电池得到了广泛的应用，转换效率不断提升，生产成本持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的90％以上，晶体硅电池片的产线转换效率目前已突破21％，全球年新增装机容量约70GW且增速明显，与火力发电的度电成本不断缩小，在未来几年有望与之持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁能源在改变能源结构、缓解环境压力等方面的重要作用日益凸显。

P型晶体硅电池由于生产工艺成熟、制造成本低，在目前及今后相当长的一段时间内仍占据绝大部分市场份额。P型晶体硅太阳能电池要想继续保持竞争力、获得更大的发展与应用，必须进一步提高转换效率，同时降低生产成本。

PERC技术着眼于电池的背面，利用钝化大大降低了背面的复合速度，该技术近年来在P 型晶体硅电池中逐步得到大规模应用，使多晶和单晶电池的效率分别提升0.5％和1％以上。作为对P型晶体硅PERC电池的改进，目前有将背面的全铝层用细铝栅线代替，使电池具有双面发电的功能。虽然PERC技术极大的提高了电池的背面性能，但是对电池的正面无显著改善，尤其是电池的正面电极，目前主要采用丝网印刷的方式形成近百条细栅和若干条主栅，此工序造成电池片表面5％～7％的面积形成对光的遮挡，使P型PERC双面电池的效率优势未能充分发挥。

MWT电池技术主要解决的是电池正面的光遮挡问题，在硅片上打孔，利用过孔电极将正面细栅线收集的电流导至电池的背面。MWT电池技术虽然减少了电池正面主栅电极的光遮挡面积，但电池正面的细栅线仍有约3％的光遮挡面积，细栅线通常为价格昂贵的银，对于降低电池片的制作成本不利。此外MWT电池的漏电问题未能很好解决。以上问题使得MWT作为改善电池正面的核心技术一直未得到大规模应用。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，该电池结合了P型晶体硅背钝化双面和金属电极卷绕技术，并在电池正面设计了一种新的电极结构，很好的解决了正面栅线遮挡、背面漏电等问题。

本实用新型采用以下技术方案：

一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，P型晶体硅片从上而下依次包括：透明导电膜、减反射膜、正面钝化膜、N型层、P型基体、背面钝化膜、背面正极细栅线和背面正极主栅线，所述P型晶体硅片上设有通孔，所述通孔内设置有用于连接电池正面负极和背面负极的过孔电极，所述N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，所述透明导电膜穿透所述减反射膜和正面钝化膜与所述局部重掺杂N+区及过孔电极的顶端电接触构成电池负极，所述透明导电膜用于将电池正面汇集的电子经过所述过孔电极导至电池的背面，所述背面正极细栅线穿透所述背面钝化膜与所述P型基体形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线连接在一起构成电池正极。

进一步的，所述通孔大小相同，在厚度方向贯通所述P型晶体硅，等行距等列距阵列排布。

进一步的，单个所述通孔的直径为100～500um，数量为4×4～10×10个。

进一步的，所述局部重掺杂N+区阵列排布在所述N型层上，所述局部重掺杂N+区的方阻为20～60Ω/□，所述局部重掺杂N+区的阵列图形为类一维图形、二维图形或类一维图形与二维图形的组合。

进一步的，所述类一维图形为线段、虚线段、弧线或栅线状；所述类一维图形的线宽为 20～200um，长度为0.05～1.5mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个所述线形的间距为0.5～2mm；

所述二维图形为圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形，所述二维几何图形的尺寸均为20～200um，相邻两个图形中心距为0.5～2mm。

进一步的，所述背面正极细栅线为开有一组或多组相互平行的线段，所述线段的长度为 10～80mm，宽度为30～300um，相邻两个线段之间的间距为1～4mm。

进一步的，所述P型晶体硅片的厚度为90～190um。

进一步的，所述透明导电膜的厚度为50～500nm；所述减反射膜的厚度为50～100nm；所述正面钝化膜的厚度为5～50nm，所述背面钝化膜7包括第一背面钝化膜和第二背面钝化膜，所述第一背面钝化膜的厚度为5～40nm；所述第二背面钝化膜的厚度为50～150nm。