[实用新型]具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃有效
申请号: | 201720283465.1 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN206607167U | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 马志锋;孙官恩;张莉 | 申请(专利权)人: | 宜昌南玻显示器件有限公司 |
主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所42103 | 代理人: | 彭永念 |
地址: | 443000 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电磁 屏蔽 功能 半反半透 玻璃 | ||
技术领域
本实用新型涉及透明导电玻璃领域,具体为一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃。
背景技术
但随着电子技术的高速发展,电子设备的密集程度越来越大,电磁干扰情况也越来越突出。为确保电子设置在工作时不会受到外界电磁场的干扰,同时不对该环境中其他设备造成不允许的电磁干扰,电磁屏蔽膜及其设计也变得尤为重要。
半反半透显示在车载后视镜、智能家居等方面的应用越来越广泛。当前的半反半透显示主要是通过在显示屏外设置具有半反半透光学特性的玻璃来实现。半反半透的光学特性主要利用光的干涉原理,通过设置多层特定厚度的高、低折射率的膜系来实现。而对于电磁屏蔽的处理,往往通过设置单独的导电膜层来实现,例如直接在显示模组上沉积透明导电层ITO等。这种产品结构复杂,一方面增加新的工序和成本,另一方面导电材料往往不能得到有效保护,导致屏蔽效果衰减严重。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃,将透明导电材料置于内层,能够减少了生产工序,降低了生产成本,提高电磁屏蔽的可靠性。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃,包括玻璃基板,玻璃基板上依次设有第一高折射率层、第一低折射率层和第二高折射率层,其中第一高折射率层为高折射率导电层;第一高折射率层的厚度为50-80nm,第二高折射率层的厚度为40-70nm,第一低折射率层的厚度为50-80nm。
优选地,所述高折射率导电层为氧化铟锡层或氧化锌铝层或掺氟氧化锡层。折射率为1.8~2.5。
优选地,所述第一高折射率层的厚度为60-70nm,第二高折射率层的厚度为50-60nm,第一低折射率层的厚度为60-70nm。
优选地,所述第一高折射率层的厚度为60nm。
另一优选的方案中,一种具有电磁屏蔽功能的半反半透玻璃,包括玻璃基板,玻璃基板上依次设有第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层和第三高折射率层;其中第一高折射率层及第二高折射率层中的一个为高折射率导电层,高折射率导电层的厚度为20-120nm,另一高折射率层的厚度为25-45nm,第三高折射率层的厚度为50-70nm,第一低折射率层的厚度为1-20nm,第二低折射率层的厚度为80-120nm。
进一步地,所述高折射率导电层为氧化铟锡层或氧化锌铝层或掺氟氧化锡层。
进一步地,所述高折射率导电层的厚度为50-60nm。
除高折射率导电层的外的高折射率层的材质为TiO2、Nb2O5、Si3N4、Ta2O5或ZrO2,折射率为1.8~2.5。
所有低折射率层的材质为SiO2、MgF2、SiON;折射率为1.35~1.65。
对于3层具有电磁屏蔽功能的半反半透结构表示为:基板/H1/L/H,其中H代表高折射率材料,TiO2、Nb2O5、Si3N4、Ta2O5或ZrO2,折射率为1.8~2.5,对应膜厚范围40-70nm;L代表低折射率材料,所述低折射率层的材质为SiO2、MgF2、SiON;折射率为1.35~1.65,对应膜厚为50-80nm;H1为高折射率的透明导电氧化物,具体材质为氧化铟锡、氧化锌铝或掺氟氧化锡,折射率为1.8~2.5,膜厚为50-80nm,方块电阻为40-25欧。
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