[实用新型]一种新型太赫兹辐射源装置

权利要求书

1.一种新型太赫兹辐射源装置，其特征在于：包括电光晶体（2）和设置在电光晶体（2）上表面的耦合棱镜（4），所述的电光晶体（2）下表面设置有光波导衬底（1），所述的电光晶体（2）为泵浦光在其中的折射系数小于太赫兹波、当超短脉冲的泵浦光通过时产生太赫兹波段的切伦科夫辐射的非线性晶体，所述的耦合棱镜（4）与电光晶体（2）的太赫兹输出面紧紧贴合，所述的耦合棱镜（4）为由折射率大于电光晶体（2）且对太赫兹波段透明的材料构成。

2.根据权利要求1所述的一种新型太赫兹辐射源装置，其特征在于，所述的衬底（1）为不掺杂的铌酸锂晶体。

3.根据权利要求1所述的一种新型太赫兹辐射源装置，其特征在于，所述的电光晶体（2）为掺氧化镁的铌酸锂，铌酸锂中氧化镁的掺杂浓度为5mol%。

4.根据权利要求1所述的一种新型太赫兹辐射源装置，其特征在于，所述的电光晶体（2）和耦合棱镜（4）之间还设置有缓冲层（3），所述的缓冲层（3）为2μm厚的PET薄膜。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种新型太赫兹辐射源装置，其特征在于，所述的耦合棱镜（4）为高电阻率硅材料的三角形棱镜，角度θh为50°。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的一种新型太赫兹辐射源装置，其特征在于，所述的耦合棱镜（4）为高电阻率硅材料的半锥形棱镜。

7.根据权利要求1或2或3或4所述的一种新型太赫兹辐射源装置，其特征在于，所述的电光晶体（2）内设置有脊形波导（8）。