[实用新型]一种负载过流过压保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种负载过流过压保护电路。

背景技术

显示屏背光电路、电解电路等需要较高的电压，通常需要将电池电压或系统的5V电压升压到12V或更高，但是在负载设备接入的瞬间或短路时，电流过大，容易烧毁负载设备。现有技术中给负载设备提供防浪涌保护和过流保护，一般采用增加防浪涌保护芯片和过流保护芯片，但这会增加电路成本，且不利于设备小型化，增加研发难度。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提出一种负载过流过压保护电路，电路简单、成本低，能够对负载设备起到过流过压保护作用。

为解决上述问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种负载过流过压保护电路，包括升压芯片、中央处理器MCU、负载设备、开关电路、电流采样电路和电压采样电路，升压芯片的使能信号EN由中央处理器MCU控制、连接中央处理器MCU的GPO1接口；升压芯片的电压信号SW的输出端连接负载设备的正极，给负载设备供电；负载设备的负极连接开关电路并经过电流采样电路接地，中央处理器MCU连接开关电路的控制信号的输入端、电流采样电路的信号输出端和电压采样电路的信号输出端，中央处理器MCU通过根据电流采样电路和/或电压采样电路的采样信号控制开关电路的导通与关断来控制负载设备的导通和关断。

其中，所述开关电路包括一NMOS管Q1和一电阻R3，负载设备的工作内阻为电阻R7，电阻R7的一端连接升压芯片的电压信号SW的输出端，电阻R7的另一端连接NMOS管Q1的漏极，NMOS管Q1的栅极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接中央处理器MCU的GPO2接口，NMOS管Q1的源极接电流采样电路。

其中，所述电流采样电路包括一采样电阻R1，采样电阻R1的一端连接NMOS管Q1的源极，采样电阻R1的另一端接地。

其中，还包括一滤波电路，电流采样电路的信号输出端经过所述滤波电路连接到中央处理器MCU的模/数转换输入接口ADC_IN1，所述滤波电路包括一电阻R6和一电容C1，所述电阻R6的一端连接采样电阻R1的一端，电阻R6的另一端连接电容C1的一端和中央处理器MCU的模/数转换输入接口ADC_IN1，电容C1的另一端接地。

其中，所述电压采样电路包括一电阻R4和一电阻R5，电阻R5的一端连接升压芯片的电压信号SW的输出端，电阻R5的另一端连接中央处理器MCU的模/数转换输入接口ADC_IN2和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地。

其中，所述升压芯片的电压信号SW的输出端经过稳压二极管D1的正极连接电阻R7的一端和电阻R5的一端。

其中，还包括一电阻R2，电阻R2的一端连接NMOS管Q1的栅极，电阻R2的另一端接地。

其中，所述升压芯片的型号为FP6291；中央处理器MCU的型号为STM32F103；NMOS管Q1的型号为AO3402。

其中，所述采样电阻R1的取值范围为0.2-1Ω。

其中，所述采样电阻R1为0.49Ω，电阻R2为100KΩ，电阻R3为2KΩ，电阻R4为100KΩ，电阻R5为499KΩ，电阻R6为10KΩ，电容C1为100nF。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：本实用新型通过中央处理器MCU通过根据电流采样电路和/或电压采样电路的采样信号控制开关电路的导通与关断来控制负载设备的导通和关断，当电流采样电路和/或电压采样电路的采样信号当超过对应的预设范围时，即负载设备过流或过压时，中央处理器MCU控制开关电路关断，使负载设备开路，从避免负载设备损坏，对负载设备起到保护作用，且电路简单、成本低。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对本实用新型实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本实用新型实施例的内容和这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型具体实施方式1提供的一种负载过流过压保护电路的电路图。

具体实施方式