[实用新型]一种负载过流过压保护电路有效
| 申请号： | 201720257200.4 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN206542179U | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 罗天雄;蒋俊峰;王佳 | 申请（专利权）人： | 深圳华制智能制造技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/10 | 分类号： | H02H3/10;H02H3/087;H02H3/20 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人： | 刘贻盛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 负载 流过 保护 电路 | ||
1.一种负载过流过压保护电路，其特征在于，包括升压芯片(11)、中央处理器MCU(12)、负载设备(13)、开关电路(14)、电流采样电路(15)和电压采样电路(17)，升压芯片(11)的使能信号EN由中央处理器MCU(12)控制、连接中央处理器MCU(12)的GPO1接口；升压芯片(11)的电压信号SW的输出端连接负载设备(13)的正极，给负载设备(13)供电；负载设备(13)的负极连接开关电路(14)并经过电流采样电路(15)接地，中央处理器MCU(12)连接开关电路(14)的控制信号的输入端、电流采样电路(15)的信号输出端和电压采样电路(17)的信号输出端，中央处理器MCU(12)通过根据电流采样电路(15)和/或电压采样电路(17)的采样信号控制开关电路(14)的导通与关断来控制负载设备(13)的导通和关断。
2.如权利要求1所述的一种负载过流过压保护电路，其特征在于，所述开关电路(14)包括一NMOS管Q1和一电阻R3，负载设备(13)的工作内阻为电阻R7，电阻R7的一端连接升压芯片(11)的电压信号SW的输出端，电阻R7的另一端连接NMOS管Q1的漏极，NMOS管Q1的栅极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接中央处理器MCU(12)的GPO2接口，NMOS管Q1的源极接电流采样电路(15)。
3.如权利要求2所述的一种负载过流过压保护电路，其特征在于，所述电流采样电路(15)包括一采样电阻R1，采样电阻R1的一端连接NMOS管Q1的源极，采样电阻R1的另一端接地。
4.如权利要求3所述的一种负载过流过压保护电路，其特征在于，还包括一滤波电路(16)，电流采样电路(15)的信号输出端经过所述滤波电路(16)连接到中央处理器MCU(12)的模/数转换输入接口ADC_IN1，所述滤波电路(16)包括一电阻R6和一电容C1，所述电阻R6的一端连接采样电阻R1的一端，电阻R6的另一端连接电容C1的一端和中央处理器MCU(12)的模/数转换输入接口ADC_IN1，电容C1的另一端接地。
5.如权利要求4所述的一种负载过流过压保护电路，其特征在于，所述电压采样电路(17)包括一电阻R4和一电阻R5，电阻R5的一端连接升压芯片(11)的电压信号SW的输出端，电阻R5的另一端连接中央处理器MCU(12)的模/数转换输入接口ADC_IN2和电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地。
6.如权利要求5所述的一种负载过流过压保护电路，其特征在于，所述升压芯片(11)的电压信号SW的输出端经过稳压二极管D1的正极连接电阻R7的一端和电阻R5的一端。
7.如权利要求6所述的一种负载过流过压保护电路，其特征在于，还包括一电阻R2，电阻R2的一端连接NMOS管Q1的栅极，电阻R2的另一端接地。
8.如权利要求7所述的一种负载过流过压保护电路，其特征在于，所述升压芯片(11)的型号为FP6291；所述中央处理器MCU(12)的型号为STM32F103；NMOS管Q1的型号为AO3402。
9.如权利要求7所述的一种负载过流过压保护电路，其特征在于，所述采样电阻R1的取值范围为0.2-1Ω。
10.如权利要求9所述的一种负载过流过压保护电路，其特征在于，所述采样电阻R1为0.49Ω，电阻R2为100KΩ，电阻R3为2KΩ，电阻R4为100KΩ，电阻R5为499KΩ，电阻R6为10KΩ，电容C1为100nF。
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