[实用新型]一种IBC电池和组件、系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种IBC电池和组件、系统。

背景技术

太阳能电池是一种将光能转化为电能的半导体器件，较低的生产成本和较高的能量转化效率一直是太阳能电池工业追求的目标。对于目前常规太阳能电池，其p+掺杂区域接触电极和n+掺杂区域接触电极分别位于电池片的正反两面。电池的正面为受光面，正面金属接触电极的覆盖必将导致一部分入射的太阳光被金属电极所遮挡反射，造成一部分光学损失。普通晶硅太阳能电池的正面金属电极的覆盖面积在7％左右，减少金属电极的正面覆盖可以直接提高电池的能量转化效率。

IBC电池，是一种将p+掺杂区域和n+掺杂区域均放置在电池背面(非受光面)的电池，该电池的受光面无任何金属电极遮挡，从而有效增加了电池片的短路电流，使电池片的能量转化效率得到提高。其背表面的金属化一般采用丝网印刷法印刷线条状的掺铝银浆和银浆，这些浆料经高温烧结后烧穿背表面钝化层与p+和n+掺杂区域形成欧姆接触。这种金属化方法存在如下不足：金属浆料和硅表面接触区域为线条状，在接触区域有严重的复合，接触面积越大，复合越大；在高温烧结过程中金属浆料会对硅表面形成一定程度的破坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种IBC电池和组件、系统。本实用新型采用低温工艺形成点状接触的铝电极，同时p+铝电极和n+铝电极透过掩膜一次性沉积完成，简化了制作工艺，克服了现有IBC电池的金属化方法的不足。

本实用新型化提供了一种IBC电池，N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为n+掺杂前表面场和前表面钝化减反膜；N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域、背表面钝化层和背表面电极；所述背表面电极包括n+电极和p+电极；所述背表面钝化层上设置有n+孔状阵列和p+孔状阵列，所述n+电极穿过所述n+孔状阵列与背表面n+掺杂区域欧姆接触，所述p+电极穿过所述p+孔状阵列与背表面p+掺杂区域欧姆接触；所述n+孔状阵列的孔直径与所述p+孔状阵列的孔直径之比为0.1-1。

其中，所述n+电极是n+铝电极，所述p+电极是p+铝电极；所述n+孔状阵列的孔直径小于所述p+孔状阵列的孔直径；所述n+掺杂区域的宽度小于所述p+掺杂区域的宽度。

其中，所述n+孔状阵列的孔直径为60～100um，所述p+孔状阵列的孔直径为140～300um。

其中，覆盖在背表面钝化层上的所述n+电极的宽度大于或者等于n+孔状阵列中的孔直径，所述p+电极的宽度大于或者等于所述p+孔状阵列中的孔直径；所述p+电极和所述n+电极的厚度均为2～5um。

本实用新型化提供了一种太阳能电池组件，包括由上至下依次设置的前层材料、封装材料、太阳能电池、封装材料、背层材料，所述太阳能电池是上述的一种IBC电池。

本实用新型化提供了一种太阳能电池系统，包括一个以上的太阳能电池组件，其特征在于：所述太阳能电池组件是上述的太阳能电池组件。

本实用新型的技术优点主要体现在：

在金属化过程中，用点状接触取代线条状接触，减少了金属电极与掺杂硅界面处的高复合；使用低温工艺形成铝电极，不会给掺杂硅表面带来破坏；铝与掺杂硅之间有优异的金属半导体接触；同时p+铝电极和n+铝电极透过掩膜一次性沉积完成，简化了制作工艺，由此所制电池具有更高的开路电压、填充因子和转换效率。

附图说明

图1为本实用新型实施例的IBC电池的制备方法步骤一中使用的N型晶体硅基体的截面结构示意图。

图2为本实用新型实施例的IBC电池的制备方法步骤一后的电池结构截面示意图。

图3为本实用新型实施例的IBC电池的制备方法步骤三后的电池结构截面示意图。

图4为本实用新型实施例的IBC电池的制备方法步骤三中开孔图案示意图。

图5为本实用新型实施例的IBC电池的制备方法步骤三后的背表面俯视图。

图6为本实用新型实施例的IBC电池的制备方法步骤三中沉积铝电极使用的掩膜结构示意图。

具体实施方式

下面将结合实施例以及附图对本实用新型加以详细说明，需要指出的是，所描述的实施例仅旨在便于对本实用新型的理解，而对其不起任何限定作用。

参见图1至图6所示，本实施例提供的一种IBC电池的金属化方法，包括以下步骤：