[实用新型]一种P型PERC双面太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体是指一种P型PERC双面太阳能电池。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。

传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术，在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。

随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高，人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。目前业界主流厂家的焦点集中在单面PERC太阳能电池的量产，而对于双面PERC太阳能电池也仅仅是一些研究机构在实验室做的研究。

对于双面PERC太阳能电池，由于光电转换效率高，同时双面吸收太阳光，发电量更高，在实际应用中具有更大的使用价值。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种P型PERC双面太阳能电池，该太阳能电池通过在电池背面的背铝栅线上再印刷一层背铝栅线，来提高太阳能电池的光电转换效率。

本实用新型的这一目的通过如下的技术方案来实现的：一种P型PERC双面太阳能电池，包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极，所述的正银电极由材料为银的正银主栅电极和材料为银的正银副栅电极组成，正银副栅电极与正银主栅电极相垂直，所述的背电极由材料为银的背银主栅电极和材料为铝的背铝副栅电极组成，背铝副栅电极和背银主栅电极相垂直，所述太阳能电池在背面还开设有开通所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜后直至P型硅的激光开槽区，激光开槽区内印刷灌注铝浆料，形成背铝条，背铝副栅电极与激光开槽区内的背铝条一体印刷成型，背铝副栅电极通过背铝条与P型硅相连，其特征在于：所述的背铝副栅电极为两层背铝栅线叠加印刷形成的双层结构，位于内层的背铝栅线为内层背铝栅线，位于外层的背铝栅线为外层背铝栅线。

本实用新型的双面PERC太阳能电池通过在电池背面的背铝栅线上再印刷一层背铝栅线，为两层背铝栅线的叠加结构，增加背铝副栅电极的高度，使入射光线在背铝栅线上形成一次或多次反射，反射光再入射到太阳能电池中，增加电池背面接受到的太阳光能量，同时增加背铝副栅电极的导电性，降低电池的串阻。

本实用新型中，所述激光开槽区与背铝副栅电极平行设置或垂直设置。

作为优选实施例，本实用新型中，所述内层背铝栅线的宽度为30～500微米，最优的宽度为50～250微米。

所述外层背铝栅线的宽度为30～500微米，最优的宽度为50～250微米。

所述内层背铝栅线的高度为3～30微米。

所述外层背铝栅线的高度为1～30微米。

所述背面氮化硅膜的厚度为20～500nm，最优的厚度为100～200nm。

所述背面氧化铝膜的厚度为2～50nm，最优的厚度为5～30nm。

所述背银主栅电极为连续直栅线或分段栅线，所述背铝副栅电极的根数为30～500条，最优的根数为80～220微米。

本实用新型中，内层背铝栅线的宽度和外层背铝栅线的宽度可以相同，也可以不同。

本实用新型中，所述激光开槽区为多个，激光开槽区的图案为，激光开槽区的宽度为10～500微米，相邻激光开槽区之间的间距为0.5～50mm。

本实用新型可以做如下改进：所述背电极的外围还印刷一圈材质为铝的铝栅外框，所述铝栅外框分别与对应的背银主栅电极和背铝副栅电极相连接，所述的铝栅外框用于给电子多提供一条传输路径。

在太阳能电池印刷过程中，由于铝浆的粘度较大，网版的线宽又比较窄，会偶尔出现铝栅断栅的情况。铝栅断栅会导致EL测试的图像出现黑色断栅，又会影响电池的光电转换效率。本实用新型在背电极的外围增设一圈铝栅外框，给电子多提供了一条传输路径，防止铝栅断栅造成的EL测试断栅和光电转换效率低的问题。铝栅外框分别与对应的背银主栅电极和背铝副栅电极相连接，铝栅外框下可以有激光开槽区，通过激光开槽区与P型硅相连，铝栅外框也可以没有激光开槽区。

与现有技术相比，本实用新型的太阳能电池能大幅提高电池光电转换效率，设备投入成本低，工艺简单，且与目前生产线兼容性好。