[实用新型]P型双面太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种P型双面太阳能电池。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结上，形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。

传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术，在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。但是由于硅片的背面没有钝化，光电转换效率的提升仍然受到限制。

现有技术的双面太阳能电池结构：基底采用N型硅片，当太阳光子照射电池背面时，在N型硅片中产生的载流子穿过厚度约为200微米的硅片，由于N型硅片少子寿命高，载流子复合速率低，部分载流子可以到达正面的p-n结；太阳能电池的正面为主要受光面，其转换效率占整个电池转换效率的比例很高；正背面的综合作用，从而大大提高电池的转换效率。但是，N型硅片价格高，N型双面电池工艺复杂；因此，如何开发高效低成本的双面太阳能电池成为企业和研究者关注的热点。

对于双面P型太阳能电池，由于光电转换效率高，同时双面吸收太阳光，发电量更高，在实际应用中具有更大的使用价值。因此，本实用新型旨在提出一种工艺简单、成本较低、易于推广、光电转换效率高的P型双面太阳能电池。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种P型双面太阳能电池，结构简单，工艺简单，成本较低，光电转换效率高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种P型双面太阳能电池，依次包括背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极，所述背面电极、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正面电极依次层叠设置，所述背面电极包括背银主栅和背铝副栅，所述背银主栅和背铝副栅相交，所述背铝副栅与P型硅直接相连。

作为上述方案的优选方式，所述正银电极包括正银主栅和正银副栅。

作为上述方案的优选方式，还包括铝栅外框，所述铝栅外框设于背铝副栅的四周，所述铝栅外框与背银主栅和背铝副栅相连接。

作为上述方案的优选方式，所述背铝副栅上设有栅线脊骨，所述栅线脊骨与背铝副栅连接。

作为上述方案的优选方式，所述背铝副栅的根数为30-500条，所述栅线脊骨的根数为30-500条；所述背铝副栅的宽度为30-500微米，所述栅线脊骨的宽度为30-500微米。

作为上述方案的优选方式，所述背银主栅和背铝副栅垂直相交。

作为上述方案的优选方式，所述背银主栅和背铝副栅以预设角度相交，10°＜预设角度＜90°。

作为上述方案的优选方式，所述背铝副栅之间的间距不相等。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

本实用新型不再设有全铝背电场，而是将其变成许多的背铝副栅，与P型硅形成局部接触，密集平行排布的背铝副栅不仅能起到提高开路电压Voc和短路电流Jsc，降低少数载流子复合率，提高电池光电转换效率的作用，可替代现有单面电池结构的全铝背电场，而且背铝副栅并未全面遮盖硅片的背面，太阳光可从背铝副栅之间投射至硅片内，从而实现硅片背面吸收光能，大幅提高电池的光电转换效率。

而且，本实用新型太阳能电池，背面无需设有钝化膜，也无需在钝化膜上进行激光开槽，就可以实现优良的收集和传输电子的作用，在保证优良的光电转换效率的基础上，大幅降低了工艺的复杂程度，减少工艺流程，简化结构，节约成本。

附图说明

图1是本实用新型P型双面太阳能电池的剖视图；

图2是本实用新型P型双面太阳能电池的背面结构第一实施例的示意图；

图3是本实用新型P型双面太阳能电池的背面结构第二实施例的示意图；

图4是本实用新型P型双面太阳能电池的背面结构第三实施例的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。

现有的单面太阳能电池在电池的背面设有全铝背电场覆盖在硅片的整个背面，全铝背电场的作用是提高了开路电压Voc和短路电流Jsc，迫使少数载流子远离表面，少数载流子复合率降低，从而整体上提高电池效率。然而，由于全铝背电场不透光，因此，具有全铝背电场的太阳能电池背面无法吸收光能，只能正面吸收光能，电池的综合光电转换效率难以大幅度的提高。