[实用新型]太阳能电池有效
申请号: | 201720199715.3 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN206490071U | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 童智圣;蔡惟鼎;吴至昇;蔡锦堂;林纲正;黄桂武 | 申请(专利权)人: | 昱晶能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,吴启超 |
地址: | 中国台湾苗栗县竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型是有关于一种太阳能电池,特别是有关于一种太阳能电池的背面电极。
背景技术
近年来,太阳能电池蓬勃发展,应用日趋广泛,且效率也日益提升。太阳能电池不仅是一种环保能源,其可直接将太阳能转换为电能,且由于在发电过程中不产生二氧化碳等温室气体,因此不会对环境造成污染。
当光照射在太阳能电池上时,利用其光电半导体的特性,使光子与导体或半导体中的自由电子作用而产生电流。目前现有的太阳能电池依据主体材料的不同可分为硅基半导体太阳能电池、染料敏化太阳能电池及有机材料太阳能电池。其中又以硅基半导体太阳能电池的技术较为纯熟且亦较为普及。
目前已发表的具高转换效率的硅晶太阳能电池多达十几种,其中具商业规模量产可能性的大致有异质接面结合本质硅薄膜太阳能电池(Hetero-junction with Intrinsic Thin Layer;HIT)、指叉式背电极太阳能电池(Interdigitated Back Contact;IBC)、双面发电太阳能电池(Bifacial)以及射极钝化及背电极太阳能电池(Passivated Emitter Rear Locally Diffused Cell;PERC)。
在制造太阳能电池的时候,常常需要透过激光剥蚀的方式来蚀穿位于背面的钝化层,使位于钝化层下方的半导体层裸露出来,然后利用网印的方式将预先调配好的铝浆填入露出的开孔中,接着经过铝浆烧结制程,就可以在太阳能电池的背面形成多个背面电极。
不同的背面电极设计,也牵动了整体太阳能电池的效率。因此,如何能有效地改善太阳能电池的背面电极,以提升太阳能电池的效率,仍是太阳能电池的研发人员与制造者所努力追寻的方向。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池的背面电极,以提升太阳能电池的整体效率。
本实用新型提供一种太阳能电池,包含有一半导体基材、一钝化层堆叠、多个开口以及多个背面电极。其中,半导体基材具有一正表面与一背表面,钝化层堆叠形成于半导体基材的背表面,多个开口贯穿并形成于钝化层堆叠之中,而多个背面电极形成于开口中。
在一实施例中,背面电极相互平行配置,且背面电极的长度大于相邻的背面电极的距离。
在一实施例中,太阳能电池还包含有多个汇流电极相互平行排列,且汇流电极与背面电极形成一预定的夹角,例如是0度到90度。
在一实施例中,背面电极的长度约为400微米到6000微米。
在一实施例中,背面电极的长度约为4000微米。
在一实施例中,相邻的背面电极的距离约为100微米至1500微米。
在一实施例中,相邻的背面电极的距离约为1000微米。
在一实施例中,相邻两行的背面电极的距离约为90微米至1350微米。
在一实施例中,相邻两行的背面电极的距离约为900微米。
在一实施例中,每一背面电极是由三个以上激光开口连续设置,并经铝胶烧结所形成,每一激光开口的直径约为35微米至55微米,两个相邻的激光开口的距离约为55微米至75微米,而激光开口的深度约为1.5微米至3.5微米。
在一实施例中,背面电极与汇流电极的距离约为100微米至3000微米。
在一实施例中,背面电极与汇流电极的距离约为1600微米。
在一实施例中,太阳能电池还包含有一边框围绕于太阳能电池的周围。
综上所述,本实用新型所揭露的太阳能电池的效率可有效提升,进而降低太阳能发电的成本,有效降低绿能发电的成本。
附图说明
为让本揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下:
图1是依照本实用新型所揭露一实施例绘示的一种太阳能电池的示意图;
图2是依照本实用新型所揭露另一实施例绘示的一种太阳能电池的示意图;
图3是依照本实用新型所揭露又一实施例绘示的一种太阳能电池的示意图;
图4是本实用新型所揭露的太阳能电池的背面电极的尺寸示意图;
图5A与图5B是本实用新型所揭露的太阳能电池的背面电极的激光开口的尺寸示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的