[实用新型]一种有机电致发光元件有效
申请号: | 201720193045.4 | 申请日: | 2017-03-01 |
公开(公告)号: | CN206685427U | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | 张光浩 | 申请(专利权)人: | 成都太锦显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 元件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种发光元件,具体为一种有机电致发光元件,属于有机电致技术领域。
背景技术
此电致发光元件根据使用材料可分为无机电致发光元件和有机电致发光元件两大类。无机电致发光元件一般发光部位上增加较高的电压,使电子在高的电场中加速撞击中心,因此为以发光中心发光元件。另外,有机电致发光元件中从注入电子电极的阴极和注入空穴的电极阳极向发光部位内分别注入电子和空穴,被注入的电子和空穴结合并生成激子,脱离基础状态时发光的元件。由于无机电致发光元件需要100~200V的高驱动电压,而有机电致发光元件则有需要大概5~200V的低电压就可以驱动的优点。所以现在正在就此进行着更加积极的研究。
但是现在一般有机电致发光元件在制作时,因阳极ITO膜中图形密度等会导致一些不均匀部分的产生。所以会部分产生铝阴极山丘现象和电子移动;而有机电致发光元件的阴极物质的铝会因这样的现象向相反方面阳极移动导致阳极和阴极间的短路,导致有机电致发光元件中阳极线和阴极线的亮度及不良状态。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有有机电致发光元件在制作时,因阳极ITO膜中图形密度等会导致一些不均匀部分的产生。所以会部分产生铝阴极山丘现象和电子移动;会导致阳极和阴极间的短路,导致有机电致发光元件中阳极线和阴极线的亮度及不良状态的缺陷,提供一种有机电致发光元件,从而解决上述问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
本实用新型提供一种有机电致发光元件,包括下部基板,所述下部基板上设置有显示区域和隔离区域,所述下部基板上蒸镀阳极,所述阳极为ITO金属氧化膜,所述阳极上蒸镀绝缘膜,绝缘膜曝光并显影后形成绝缘膜图形,所述绝缘膜图形上溅射蒸镀铝形成阴极;所述显示区域包括所述阳极、有机发光层和所述阴极,所述阳极设置在所述下部基板,所述下部基板上依次设置有所述阳极、所述有机发光层和所述阴极;所述隔离区域从所述下部基板上从下往上依次为所述绝缘膜图形及阴极隔离板。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述下部基板采用石英制成的透明材质。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述阴极包括铝、过滤金属和空白空间,所述空白空间均设置在所述铝区域处。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述铝蒸镀0.5mol%甚至4mol%比率的所述过滤金属。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述铝蒸镀0.5wt%甚至4wt%比率的所述过滤金属。
本实用新型所达到的有益效果是:本实用新型使用蒸镀类似铝/铜,铝/钛,铝/钨,及铝/钼的铝合金或同时蒸镀铜,钛,钨或钼一样的过滤金属形成阴极,具有抑制铝的山丘现象及电子移动最大限度,可减少阴阳极间的短路问题,可以提高元件的可靠性的优点。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。
在附图中:
图1是本实用新型的有机电致发光元件的结构图;
图2是本实用新型的有机电致发光元件的阴极结构图;
图中标号:1、铝;2、过滤金属;3、空白空间;4、下部基板;5、阳极;6、有机发光层;7、阴极;8、绝缘膜图形;9、阴极隔离板;10、显示区域;11、隔离区域。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例:如图1-2所示,本实用新型提供一种有机电致发光元件,包括下部基板4,下部基板4上设置有显示区域10和隔离区域11,下部基板4上蒸镀阳极5,阳极5为ITO金属氧化膜,阳极5上蒸镀绝缘膜,绝缘膜曝光并显影后形成绝缘膜图形8,绝缘膜图形8上溅射蒸镀铝形成阴极7;显示区域10包括阳极5、有机发光层6和阴极7,阳极5设置在下部基板4,下部基板4上依次设置有阳极5、有机发光层6和阴极7;隔离区域11从下部基板4上从下往上依次为绝缘膜图形8及阴极隔离板9。
进一步地,下部基板4采用石英制成的透明材质,阴极7包括铝1、过滤金属2和空白空间3,空白空间3均设置在铝1区域处,铝1蒸镀0.5mol%甚至4mol%比率的过滤金属2,铝1蒸镀0.5wt%甚至4wt%比率的过滤金属2;其中过滤金属2是由铜、钛、钨及钼组成的群中的一个以上的金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择