[实用新型]一种双谐振腔结构的石墨烯光电探测器有效
| 申请号: | 201720171791.3 | 申请日: | 2017-02-24 |
| 公开(公告)号: | CN206595273U | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
| 发明(设计)人: | 杜鸣笛;何淑珍 | 申请(专利权)人: | 湖南工学院 |
| 主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/0232;H01L31/028 |
| 代理公司: | 长沙星耀专利事务所(普通合伙)43205 | 代理人: | 龙腾,黄丽 |
| 地址: | 421002 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 谐振腔 结构 石墨 光电 探测器 | ||
1.一种双谐振腔结构的石墨烯光电探测器,其特征在于:包括顶部谐振腔(1a)以及底部谐振腔(1b),所述顶部谐振腔(1a)位于底部谐振腔(1b)的上部,所述顶部谐振腔(1a)包括由上往下依次设置的第一分布布拉格反射镜(2)、二氧化硅腔(3)、第二分布布拉格反射镜(4),所述底部谐振腔(1b)包括由上往下依次设置的顶部谐振腔(1a)、空气腔(5)、第三分布布拉格反射镜(6)以及衬底(7),所述空气腔(5)内设有一吸收层(8),所述吸收层(8)为单层石墨烯,所述顶部谐振腔(1a)可对光信号进行滤波并为底部谐振腔(1b)提供顶部反射镜功能,入射光通过所述第一分布布拉格反射镜(2)进入顶部谐振腔(1a),经过滤波以及数次反射后进入所述底部谐振腔(1b)内并被吸收层(8)吸收。
2.根据权利要求1所述的双谐振腔结构的石墨烯光电探测器,其特征在于:所述二氧化硅腔(3)以及空气腔(5)的光学厚度均为一个物理波长。
3.根据权利要求2所述的双谐振腔结构的石墨烯光电探测器,其特征在于:所述吸收层(8)的光学厚度小于一个驻波周期,所述吸收层(8)设于驻波的波腹处。
4.根据权利要求3所述的双谐振腔结构的石墨烯光电探测器,其特征在于:所述第一分布布拉格反射镜(2)、第二分布布拉格反射镜(4)以及第三分布布拉格反射镜(6)均由高折射率的硅与低折射率的二氧化硅逐层交错堆叠而成,所述单层的硅与二氧化硅的厚度分别为0.113μm和0.255μm 。
5.根据权利要求4所述的双谐振腔结构的石墨烯光电探测器,其特征在于:所述第一分布布拉格反射镜(2)及第二分布布拉格反射镜(4)的光学厚度均为四个驻波周期,所述第三分布布拉格反射镜(6)的光学厚度为七个驻波周期。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





