[实用新型]匹配链式扩散的刻蚀碱槽喷淋装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳电池片生产技术领域中的碱槽喷淋装置，尤其涉及一种匹配链式扩散的刻蚀碱槽喷淋装置。

背景技术

太阳能电池片制造经过扩散形成PN结后，需要通过刻蚀工序腐蚀硅片侧面边缘，防止边缘导通漏电。扩散完的硅片通过刻蚀槽后，一般还需要经过碱槽来去除表面形成的酥松的多孔硅结构，保证镀膜和背面铝浆的烧结效果，减少色斑及漏电。

现在扩散技术有管式和链式两种，其中链式扩散对比管式扩散，由于产能低，在磷源非常过量的情况下进行扩散，导致表面方阻低，且复合严重，需要通过手段将表面的一层非激活磷含量很高的硅去除，现有技术中通常采用碱腐蚀的手段提升方阻。

但是目前普通的碱喷淋装置容易发生管道堵塞，并且无法解决不同轨道需要提升的方阻不一致的问题。

因此，亟待解决上述问题。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的是提供一种可独立控制碱液腐蚀每一道硅片时间，且实现不同轨道提升的方阻不一致的匹配链式扩散的刻蚀碱槽喷淋装置。

技术方案：为实现以上目的，本实用新型所述的一种匹配链式扩散的刻蚀碱槽喷淋装置，包括至少两道平行设置的支架导轨，且两个相邻支架导轨构成一用于腐蚀硅片的独立碱道，该相邻支架导轨上设有至少一个可沿支架导轨来回移动的用于均匀导流碱液的导流装置，该导流装置上设有进液口，且所述导流装置的内部均布有若干个与进液口相连通的流通管道，碱液由进液口流入导流装置内顺着流通管道均匀滴落。该喷淋装置取消了现有碱槽中的管道滴孔设计，采用导流装置将滴液滴在硅片PN结表面，杜绝碱刀堵塞，从而避免硅片局部无法提升方阻和电池片效率低下等异常现象；其次该喷淋装置中通过控制每一独立碱道上的导流装置的位置、进液以及设置多组导流装置来实现独立控制每一碱道上的碱液腐蚀硅片的反应时间。

其中，所述导流装置包括上下设置的进液板和导流板，该导流板和进液板之间榫卯连接。

优选的，所述进液口位于进液板的上表面，该进液板的下表面开挖有用于容纳液滴的空腔，该空腔内均布有若干个与进液口相连通的进液凹槽。

再者，所述导流板的两侧面分别均布有若干个与进液凹槽相连通的导流柱，该导流板的底面均布有若干导流圆锥；碱液经由进液凹槽流至导流柱上，顺着导流柱汇至导流圆锥上并滴落。该喷淋装置通过利用进液板配合导流板中均布的导流柱和导流圆锥有效避免了两束碱液由于趋附而合并为一束碱液的情况，使其滴液经由导流板均匀的滴落在硅片表面，且均匀腐蚀硅片。

进一步，所述支架导轨上沿其长度方向均布有若干个用于连接导流装置的卡槽，同时所述导流装置的两端具有与卡槽相适配的连接端，该连接端的截面形状与卡槽的截面形状相一致。

工作原理：在链式扩散刻蚀工序中，碱液接触硅片表面接触的时间长短是至关重要的，而碱液对表面的冲击并不重要，所以本实用新型利用进液板和导流板相结合的滴液方式代替现有技术中采用管孔碱液流冲刷的方式，通过调整导流板位置、供液或多组导流板来控制反应时间，利用导流板结构代替孔洞结构避免了碱刀堵塞和碱液流合并等现象。

有益效果：与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：首先该喷淋装置取消了现有碱槽中的管道滴孔设计，采用导流装置将滴液滴在硅片PN结表面，杜绝碱刀堵塞，从而避免硅片局部无法提升方阻和电池片效率低下等异常现象；其次该喷淋装置中通过控制每一独立碱道上的导流装置的位置、进液以及设置多组导流装置来实现独立控制每一碱道上的碱液腐蚀硅片的反应时间；再者该喷淋装置通过利用进液板配合导流板中均布的导流柱和导流圆锥有效避免了两束碱液由于趋附而合并为一束碱液的情况，使其滴液经由导流板均匀的滴落在硅片表面，且均匀腐蚀硅片；最后该喷淋装置与原机台兼容性高，更换简易、体积小、结构强度高，更耐用且清洗方便。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的爆炸示意图；

图3为本实用新型中导流装置的结构示意图；

图4为本实用新型中导流装置的剖面示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案作进一步说明。