[实用新型]一种可隐蔽的太阳能光伏组件有效
| 申请号: | 201720111391.3 | 申请日: | 2017-02-07 |
| 公开(公告)号: | CN206451722U | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
| 发明(设计)人: | 王付然;李毅 | 申请(专利权)人: | 深圳市创益科技发展有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所(普通合伙)44233 | 代理人: | 段立丽 |
| 地址: | 518029 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 隐蔽 太阳能 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种可隐蔽的太阳能光伏组件,属太阳能光伏组件技术领域。
背景技术
现代军事中,立体作战系统采用的技术越来越高,对作战设备要求也越来越高,对于单兵作战装备,通讯系统必不可少,太阳能光伏组件在单兵作战武器电源、通讯手机、摄像机、笔记本电脑、航天器材等移动电源使用领域具有广阔的应用前景。但是太阳能电池是一种光电转换的材料,当太阳能光伏组件在吸收太阳能转化成电能的同时,会产生热能使其表面温度升高,导致太阳能光伏组件与周围环境产生一个温度差,再则太阳能电池与周围颜色相差很大,且目前的太阳能电池都是有规则的排列,因此如果用在军事上,在使用时很容易被带有可见光、红外光探测设备发现而暴露。目前公开技术中主要是采用在太阳能光伏组件背面使用迷彩材料封装,如中国专利201120368937.6公布一种迷彩太阳能电池组件,是在背板上铺设迷彩层,太阳能电池芯片放在迷彩层上,但是在使用时光伏组件的正面位于暴露面,因此背面迷彩起到隐蔽作用并不明显,而且也不会阻挡太阳能光伏组件发热造成的温差,所以无法解决被设备探测到可见光、红外光探测和电磁屏蔽的问题。中国专利200710096805.0《涂覆有红外屏蔽膜的玻璃板及其制造方法》给出了一种导电膜ITO可屏蔽红外膜的技术方案,《真空科学与技术学报》(第26卷第5期,2006年9、10月)的文献《低温沉积ITO膜的透光率及电磁屏蔽特性的研究》中通过试验给出了通过调节ITO膜层厚度,在样品PMMA及PET这类柔性沉底上沉积ITO可实现最大平均透光率86.41%,最小电阻率1.19X10-3Ω.cm,最大屏蔽效能超过15dB,因此通过在太阳能光伏组件受光面增加金属氧化物膜层可实现对红外线以及电磁波的屏蔽。对于进一步太阳能光伏组件与外界色彩不一致造成的可见光和红红线易被探测的问题,《成都纺织高等专科学校学报》(第24卷第4期(总第86期),2007年10月)的文献《不同分散染料对涤棉迷彩面料防近红外伪装性能的研究》中介绍了通过用TiO2、Fe2O3、ZnO等金属氧化物制成的涂料在表面涂层,达到降低红外线的反色率。对于因采用迷彩涂层和金属膜屏蔽红外和电磁造成的透光率下降的问题,中国专利CN201180014875.1《太阳能引导板》给出了通过采用导光板将侧光引导进入来增加光照量的技术方案,同时可将太阳能电池芯片反射的光通过漫反射层反射回太阳能电池芯片。
发明内容
本发明的目的就是发明一种可隐蔽的太阳能光伏组件,能够对太阳能光伏组件产生的可见光、红外光、电磁波进行屏蔽,解决太阳能光伏组件被可见光、红外光以及电磁波的探测设备发现的问题。
为了实现以上目的,本发明采用技术方案是:一种可隐蔽的太阳能光伏组件,通过粘结层将太阳能电池芯片封装在前板和背板中间,前板位于受光面,其特征在于:在所说的前板受光面还有隐蔽层。
所说的隐蔽层为透明的金属氧化物膜层及网状迷彩层。
所说的金属氧化物膜层镀膜在透明的高分子材料薄片上,通过粘结层粘结在前板受光面,金属氧化物为氧化铟锡(ITO)、铝掺杂的氧化锌(AZO)、石墨烯等透明导电材料。
所说的网状迷彩层结构为镂空网格状,如蜂窝孔,可印在金属氧化物膜层上,也可印在前板受光面上,迷彩层材料为由二氧化钛(TiO2)、三氧化二铁(Fe2O3)、氧化锌(ZnO)等金属氧化物制成的涂料。
所说的网状迷彩层的镂空的网格大小在5mm2~10mm2, 网格边缘之间的距离小于1mm。
所说的前板为导光材料,如聚碳酸酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等,在前板的四周边缘印有漫反射层,在周边厚度涂有反光层。
所说的太阳能电池芯片为薄膜电池或晶体硅电池。
所说的背板为导热绝缘材料,如硅胶板。
所说的粘结层优先采用透明的热塑性乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)热熔材料。
本发明产生的有益效果:本发明通过在已知技术上的前板的受光面增加隐蔽层,实现了太阳能光伏组件对可见光、红外光和电磁波的屏蔽,防止了对太阳能光伏组件的探测,具有很好的隐蔽伪装、防探测的功能,应用军事作战具有很好的效果。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为网状迷彩层102的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





