[实用新型]发光二极管照明电路

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年1月26日提交的美国临时申请No.62/287,081的权益，该申请全文以引用方式并入本文。

技术领域

本实用新型整体涉及电子电路，更具体地但非排他性地涉及纹波抑制器。

背景技术

顾名思义，纹波抑制器是用于抑制信号的纹波的电路。在发光二极管(LED)照明电路中，纹波抑制器用于抑制流过LED阵列的LED电流的纹波。纹波抑制器可包括线性稳压器，该线性稳压器感测来自感测电阻器的LED电流，并且驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以调节LED电流并使之平滑。该纹波抑制器拓扑结构的问题在于感测电阻器增加了LED照明电路的功率损耗。另一种纹波抑制器拓扑结构包括驱动双极性结型晶体管(BJT)而非MOSFET的线性稳压器。BJT不需要感测电阻器，但因BJT在有源区中的集电极至发射极电压而具有严重的功率损耗，原因在于自动优化BJT的饱和电压相对较困难。

实用新型内容

在一个实施方案中，LED照明电路包括纹波抑制器。纹波抑制器包括纹波检测器、自适应偏移发生器和线性稳压器。纹波检测器生成指示纹波电流的纹波电压。自适应偏移发生器由纹波电压以及晶体管节点上的电压生成自适应偏移。线性稳压器驱动晶体管，以根据由纹波电压和自适应偏移生成的参考控制电压来调节LED电流。

本实用新型解决的一个技术问题是防止由于自动优化晶体管的饱和电压的困难而导致严重的功率损耗。

根据本实用新型的一个方面，提供一种发光二极管(LED)照明电路，包括：晶体管，所述晶体管被连接以接收流过LED阵列的LED电流；纹波检测器，所述纹波检测器生成指示纹波电流的纹波电压；自适应偏移发生器，所述自适应偏移发生器由所述纹波电压以及所述晶体管的节点上的电压生成自适应偏移电压；以及线性稳压器，所述线性稳压器驱动所述晶体管以根据控制参考电压来调节所述LED电流，所述控制参考电压由所述纹波电压和所述自适应偏移电压生成。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，所述线性稳压器包括第一放大器，所述第一放大器具有连接到所述晶体管的漏极的第一节点、接收所述控制参考电压的第二节点以及连接到所述晶体管的栅极的输出节点。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，所述自适应偏移发生器基于所述纹波电压与所述晶体管的漏极至源极电压之间的差值来生成所述自适应偏移电压。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，所述自适应偏移发生器基于所述晶体管的漏极至源极电压的峰值与所述纹波电压的峰值之间的差值来生成所述自适应偏移电压。

根据一个实施例，所述LED照明电路还包括：加法器，所述加法器通过将所述自适应偏移电压加到所述纹波电压来生成所述控制参考电压。

根据一个实施例，所述纹波检测器包括高通滤波器。

根据一个实施例，所述纹波检测器包括：最小值检测器，所述最小值检测器在与所述LED阵列相连的输出电容器处检测输出电压的最小值；以及减法器，所述减法器从所述输出电压减去所述输出电压的所述最小值。

根据一个实施例，所述LED照明电路还包括：生成源电流的功率因数校正电路，所述源电流流到与所述LED阵列相连的输出电容器。

根据一个实施例，所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管，并且其中所述自适应偏移发生器包括：第一峰值检测器，所述第一峰值检测器检测所述纹波电压的峰值；第二峰值检测器，所述第二峰值检测器检测所述晶体管的漏极至源极电压的峰值；加法器，所述加法器将所述纹波电压加到所述晶体管的所述漏极至源极电压的所述峰值与所述纹波电压的所述峰值之间的差值，以生成参考同步电压；以及放大器，所述放大器接收所述参考同步电压和所述晶体管的所述漏极至源极电压，以生成所述自适应偏移电压。