[实用新型]一种晶片载盘

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体器芯片制备领域，尤其涉及一种晶片载盘，其应用于晶片研磨制程。

背景技术

LED加工领域中，要获得LED 芯粒，需以蓝宝石等为衬底，经PSS图形化、外延MOCVD技术磊晶，芯片前段工艺制作电极后，交芯片后段进行晶片减薄、划裂成芯粒。

但如附图1所示，衬底210实际外延生长中，由于衬底210边缘（0~300um）出现PSS图形212缺失异常，边缘区域在外延层220生长过程中会出现磊晶异常，呈现凸起211状（高度3~20um）。

晶片进入芯片后段减薄工艺前，需通过上蜡机使用熔融的粘结蜡对晶片进行压蜡固定，后使用吸蜡纸（吸出边缘挤出的多余蜡）压蜡冷却固定，但因现有载盘100’表面平整，如附图2所示，晶片200边缘凸起211磊晶会起到支撑的作用，研磨机构300在下压研磨的过程中由于晶片200表示受力的不均匀性，晶片200的研磨表面会成下凹弧形213，继而造成减薄下蜡后边缘芯粒实际厚度较订单卡控厚度偏薄，造成外圈芯粒（如4寸影响1~20圈）良率损失，且偏薄异常芯粒易流出，存在较大客诉隐患。

发明内容

针对上述为问题，本实用新型提供一种晶片载盘，用于所述晶片的减薄工艺，其特征在于：所述载盘上表面具有复数个环形沟槽，所述环形沟槽围绕形成放置晶片的晶片放置区，所述环形沟槽的内环直径即所述晶片放置区的直径小于所述晶片的直径，所述环形沟槽的外环直径大于等于所述晶片的直径。

优选的，所述晶片直径与所述环形沟槽内环直径的差为：0~2mm。

优选的，所述环形沟槽的深度与晶片固定时滴蜡量m，晶圆直径d，蜡密度γ，压蜡层厚度a，晶圆厚度A，载盘厚度X及沟槽宽度W有关。

优选的，所述沟槽的深度为：，其中所述滴蜡量m，晶圆直径d，蜡密度γ，压蜡层厚度a，晶圆厚度A，载盘厚度X及沟槽宽度W的单位均为国际标准单位。

优选的，所述环形沟槽还包括位于沟槽顶部的弧形倒角。

优选的，所述弧形倒角的半径为0.03~0.07mm。

优选的，所述晶片包括一衬底及形成于所述衬底上的外延层。

优选的，所述衬底为图形化衬底，所述衬底由于边缘图形的缺失，边缘具有呈凸结构。

优选的，相邻的环形沟槽可相互连通。

优选的，所述载盘为陶瓷盘。

本实用新型至少具有以下有益效果：减少晶片研磨过程中出现的晶片边缘偏薄现象，同时节省压蜡冷却前需使用吸蜡纸吸出边缘多余蜡量的工序，多余的蜡则直接流入环形沟槽内，有利用蜡的回收再利用。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。

图1现有技术中晶片结构示意图。

图2 现有技术中载盘、晶片及研磨机构结构示意图。

图3 本实用新型实施例1之载盘俯视图。

图4 本实用新型实施例1之载盘及晶片剖视结构示意图。

图5本实用新型实施例1之变形实施方式之载盘俯视图。

图6 本实用新型实施例2之载盘结构剖视结构示意图。

附图标注：100’：现有载盘；100：载盘；110：晶片放置区；120：环形沟槽；121：U型结构；122：弧形倒角；200：晶片；210：衬底；211：凸起；212：图形；213：下凹弧形；220：外延层；300：研磨机构。

具体实施方式

实施例1

参看附图3和4，本实施例提出一种晶片载盘100，用于晶片200的减薄工艺，其上表面具有复数个环形沟槽120，环形沟槽120围绕形成放置晶片的晶片放置区110，设定环形沟槽120的内环直径即晶片放置区110的直径小于晶片200的直径，且环形沟槽120的外环直径大于等于晶片200的直径，以使晶片200在放置于晶片放置区110时，晶片200边缘呈悬空状态。本实施例优选的晶片200包括衬底210及位于所述衬底210上的外延层220，其中衬底210为图形化衬底，图形化衬底在制备过程中由于边缘图形212的缺失，边缘具有凸起211结构。当然，本实用新提供的晶片载盘100也适用于平片衬底制备的晶片的研磨工艺。